એક અર્ધવાહકને વિદ્યુત ક્ષેત્રમાં મૂકવામાં આવે છે. ધારો કે વિદ્યુતભાર વાહકોની સંખ્યા ઘનતા $n$ છે અને સરેરાશ ડ્રિફ્ટ વેગ $v$ છે. જો તાપમાન વધારવામાં આવે,તો:

એક આંતરિક અર્ધવાહકમાં,વાહક ઇલેક્ટ્રોનની ઘનતા $7.07 \times 10^{15} \, m^{-3}$ છે. જ્યારે તેને ઇન્ડિયમ સાથે ડોપ કરવામાં આવે છે,ત્યારે હોલ્સની ઘનતા $5 \times 10^{22} \, m^{-3}$ થાય છે. ડોપ્ડ અર્ધવાહકમાં વાહક ઇલેક્ટ્રોનની ઘનતા શોધો.

શુદ્ધ સિલિકોનના નમૂનામાં $10^{13} \text{ atoms/cm}^3$ ફોસ્ફરસ ઉમેરવામાં આવે છે. જો બધા જ ડોનર પરમાણુઓ સક્રિય હોય,તો $20 ^oC$ તાપમાને અવરોધકતા (resistivity) કેટલી હશે? જો ઇલેક્ટ્રોનની મોબિલિટી $1200 \text{ cm}^2/\text{V} \cdot \text{s}$ હોય. ($\Omega \cdot \text{cm}$ માં)

એક સેમિકન્ડક્ટરમાં,ઇલેક્ટ્રોનની સાંદ્રતા $8 \times 10^{14} \text{ cm}^{-3}$ છે અને હોલ્સની સાંદ્રતા $5 \times 10^{12} \text{ cm}^{-3}$ છે. આ સેમિકન્ડક્ટર કયા પ્રકારનું છે?

ઓરડાના તાપમાને શુદ્ધ (intrinsic) અર્ધવાહકમાં હોલની સંખ્યા ઘનતા $(n_h)$ અને મુક્ત ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા ઘનતા $(n_e)$ વચ્ચેનો સંબંધ શું છે?

જ્યારે અર્ધવાહકમાં થોડી માત્રામાં અશુદ્ધિના પરમાણુઓ ઉમેરવામાં આવે છે,ત્યારે સામાન્ય રીતે તેની અવરોધકતા