यदि डायोड में फॉरवर्ड वोल्टेज बढ़ाया जाता है,तो डिप्लेशन परत की मोटाई .......

नीचे दो कथन दिए गए हैं: एक को अभिकथन $A$ और दूसरे को कारण $R$ के रूप में लेबल किया गया है।
अभिकथन $A:$ यदि $p-n$ जंक्शन फॉरवर्ड बायस्ड है,तो इसमें विसरण (डिफ्यूजन) धारा का परिमाण ड्रिफ्ट धारा से अधिक होता है।
कारण $R:$ यदि $p-n$ जंक्शन फॉरवर्ड बायस्ड है,तो विसरण धारा $n$-साइड से $p$-साइड की ओर होती है।
उपरोक्त कथनों के आलोक में,नीचे दिए गए विकल्पों में से सबसे उपयुक्त उत्तर चुनें:

$p-n$ जंक्शन डायोड में विसरण धारा (diffusion current) की दिशा होती है

क्या $p-n$ जंक्शन के आर-पार विभव प्राचीर (potential barrier) को केवल जंक्शन के सिरों पर वोल्टमीटर जोड़कर मापा जा सकता है?

$621 \ nm$ तरंगदैर्ध्य के एकवर्णी प्रकाश में एक फोटॉन की ऊर्जा एक अर्धचालक पदार्थ के बैंड गैप से मेल खाती है। तो अर्धचालक से एक इलेक्ट्रॉन-होल युग्म बनाने के लिए आवश्यक न्यूनतम ऊर्जा है
[लें $hc = 1242 \ eV-nm$,जहाँ $h$ प्लांक नियतांक है और $c$ निर्वात में प्रकाश की गति है] ($eV$ में)

एक सिलिकॉन डायोड में अवक्षय परत (depletion layer) की चौड़ाई $1 \, \mu m$ है और नी विभव (knee potential) $0.6 \, V$ है, तो अवक्षय परत में विद्युत क्षेत्र होगा: