क्या $p-n$ जंक्शन के आर-पार विभव प्राचीर (potential barrier) को केवल जंक्शन के सिरों पर वोल्टमीटर जोड़कर मापा जा सकता है?

निम्नलिखित परिपथों $A$ और $B$ में प्रवाहित होने वाली धाराएँ क्रमशः क्या हैं?

एक अर्धचालक $X$ को जर्मेनियम क्रिस्टल में आर्सेनिक $(Z=33)$ मिलाकर बनाया जाता है। दूसरा अर्धचालक $Y$ जर्मेनियम में इंडियम $(Z=49)$ मिलाकर बनाया जाता है। दोनों को एक-दूसरे से जोड़कर चित्रानुसार बैटरी से जोड़ा गया है। निम्नलिखित में से कौन सा कथन सही है?

जब एक $P-N$ जंक्शन फॉरवर्ड बायस में होता है,तो निम्नलिखित में से क्या सत्य है?

एक डायोड का धारा-वोल्टेज संबंध $I = (e^{1000V/T} - 1) \; mA$ द्वारा दिया गया है,जहाँ प्रयुक्त वोल्टेज $V$ वोल्ट में है और तापमान $T$ केल्विन में है। यदि कोई छात्र $300 \; K$ पर $5 \; mA$ की धारा मापते समय वोल्टेज मापने में $\pm 0.01 \; V$ की त्रुटि करता है,तो धारा के मान में $mA$ में कितनी त्रुटि होगी?

$Ge$ और $Si$ डायोड क्रमशः $0.3\,V$ और $0.7\,V$ पर चालन शुरू करते हैं। निम्नलिखित आकृति में,यदि $Ge$ डायोड का कनेक्शन उलट दिया जाए,तो $V_0$ का मान कितने से बदल जाएगा: ...... $V$ (मान लें कि $Ge$ डायोड का ब्रेकडाउन वोल्टेज बहुत अधिक है)।