અર્ધવાહકોમાં ઊર્જાગેપ ........ $eV$ ના ક્રમની હોય છે.

અર્ધવાહક (semiconductor) ના સંદર્ભમાં નીચેનામાંથી કયું વિધાન ખોટું છે?

$0 \ K$ તાપમાને આંતરિક (intrinsic) અર્ધવાહક કેવી રીતે વર્તે છે?

$Ge$ અને $Na$ ની વિદ્યુતીય વાહકતા અનુક્રમે $\sigma_1$ અને $\sigma_2$ છે. જો આ પદાર્થોને ગરમ કરવામાં આવે,તો:

વિધાન $(A)$: જ્યારે એલ્યુમિનિયમનો તાર અને સિલિકોનનો બીજો તાર ઓરડાના તાપમાનથી $80^{\circ} C$ સુધી ગરમ કરવામાં આવે છે,ત્યારે એલ્યુમિનિયમની વાહકતા ઘટે છે અને સિલિકોનની વાહકતા વધે છે.
કારણ $(R)$: એલ્યુમિનિયમનો અવરોધકતાનો તાપમાન ગુણાંક ધન હોય છે અને સિલિકોનનો અવરોધકતાનો તાપમાન ગુણાંક ઋણ હોય છે.

શુદ્ધ સોડિયમ $(Na)$ વિદ્યુતનું સારું વાહક છે કારણ કે $3s$ અને $3p$ પરમાણ્વીય બેન્ડ એકબીજા પર ઓવરલેપ થઈને આંશિક રીતે ભરાયેલું કન્ડક્શન બેન્ડ બનાવે છે. આનાથી વિપરીત,આયનિક સોડિયમ ક્લોરાઈડ $(NaCl)$ સ્ફટિક શું છે?