जब एक $P-N$ जंक्शन को रिवर्स बायस किया जाता है,तो ...

मान लीजिए कि एक $P-N$ जंक्शन में अवक्षय परत (depletion layer) की मोटाई $10^{-6} \ m$ है और अवक्षय अवरोध (depletion barrier) का मान $0.1 \ V$ है,तो विद्युत क्षेत्र ....... $V \ m^{-1}$ है।

ओम का नियम किसमें विफल हो जाता है?

$p-n$ जंक्शन के लिए,विद्युत क्षेत्र की तीव्रता $1 \times 10^{6} \text{ V/m}$ है और अवक्षय परत (depletion region) की चौड़ाई $5000 \text{ Å}$ है। विभव प्राचीर (potential barrier) का मान $\dots \text{ V}$ है।

$P-N$ जंक्शन डायोड में रिवर्स बायस को एक बड़े मान तक बढ़ाने पर,धारा

चित्र में अग्र अभिनति (forward bias) में एक $p-n$ जंक्शन डायोड की $I-V$ विशेषताएँ दिखाई गई हैं। क्रमशः $2 \; V$ और $4 \; V$ के अग्र अभिनति वोल्टेज के अनुरूप गतिशील प्रतिरोध (dynamic resistance) का अनुपात क्या है?