$N$-प्रकार के $Ge$ अर्धचालक में इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता $5000 \ cm^2/V \cdot s$ और चालकता $5 \ mho/cm$ है। यदि होल्स का प्रभाव नगण्य है,तो अशुद्धि परमाणुओं की सांद्रता क्या होगी?

$N$-प्रकार के अर्धचालकों में,बहुसंख्यक आवेश वाहक होते हैं

कथन-$I$: सिलिकॉन अर्धचालक को पंचसंयोजी (pentavalent) पदार्थ के साथ डोप करने पर,इलेक्ट्रॉन घनत्व बढ़ जाता है।
कथन-$II$: $n$-प्रकार के अर्धचालक पर नेट ऋणात्मक आवेश होता है।
उपर्युक्त कथनों के आलोक में,नीचे दिए गए विकल्पों में से सबसे उपयुक्त उत्तर चुनें:

निम्नलिखित में से किस कथन में प्राप्त अशुद्ध अर्धचालक $p$-प्रकार का है?

$P$-प्रकार का अर्धचालक तैयार करने के लिए $Si$ के नमूने में इंडियम अशुद्धि मिलाई जाती है। इस अर्धचालक में $Si$ के $5 \times 10^7$ परमाणुओं के प्रति एक इंडियम परमाणु मिलाया गया है। $Si$ के नमूने का परमाणु घनत्व $5 \times 10^{28} \text{ परमाणु/m}^3$ है,तो सिलिकॉन के $1 \text{ cm}^3$ के घन में कितने स्वीकर्ता (एक्सेप्टर) परमाणु होंगे?

निम्नलिखित में से कौन सा ऊर्जा बैंड आरेख $N$-प्रकार के अर्धचालक को दर्शाता है?