यदि $Si$ और $Ge$ डायोड का बैरियर विभव क्रमशः $0.7 \ V$ और $0.3 \ V$ है,जैसा कि परिपथ में दिखाया गया है,तो $V_0$ और $I$ के मान ज्ञात कीजिए। यदि $Ge$ डायोड के कनेक्शन को उलट दिया जाए,तो $V_0$ और $I$ के नए मान क्रमशः ज्ञात कीजिए।

  • A
    $11.3 \ mA, 2.26 \ mA$
  • B
    $2.34 \ mA, 2.20 \ mA$
  • C
    $2.50 \ mA, 1.80 \ mA$
  • D
    $10.2 \ mA, 3.20 \ mA$

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एक डायोड को चित्र में दिखाए अनुसार एक संधारित्र (capacitor) के साथ श्रेणीक्रम में $220 \, V \, (rms) \, ac$ से जोड़ा गया है। संधारित्र के सिरों पर वोल्टेज है

Difficult
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अग्र अभिनति (Forward Bias) और पश्च अभिनति (Reverse Bias) क्या है?

एक $p-n$ जंक्शन डायोड में, अवक्षय परत (depletion layer) की मोटाई $2 \times 10^{-6} \,m$ है और विभव प्राचीर (barrier potential) $0.3 \,V$ है। जंक्शन पर विद्युत क्षेत्र की तीव्रता है

परिपथ में दर्शाया गया डायोड एक सिलिकॉन डायोड है। बिंदुओं $A$ और $B$ के बीच विभवांतर .....$V$ होगा।

जब एक जंक्शन डायोड फॉरवर्ड बायस में होता है, तो निम्नलिखित में से कौन सा कथन सही नहीं है?

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