શુદ્ધ સિલિકોનના સેમ્પલમાં $10^{13} \text{ atoms/cm}^3$ ફોસ્ફરસ ઉમેરવામાં આવે છે. જો બધા ડોનર અણુઓ સક્રિય હોય અને ઈલેક્ટ્રોનની મોબિલીટી $1200 \text{ cm}^2/\text{V}\cdot\text{s}$ હોય, તો $20^\circ\text{C}$ તાપમાને અવરોધકતા $\Omega\cdot\text{cm}$ માં કેટલી હશે?

અર્ધવાહકમાં ઇલેક્ટ્રોનને મેજોરિટી ચાર્જ કેરિયર તરીકે મેળવવા માટે,કઈ અશુદ્ધિ ઉમેરવામાં આવે છે?

ઓરડાના તાપમાને આંતરિક સિલિકોનના સ્ફટિકમાં કેરિયર સાંદ્રતા $1.6 \times 10^{16} / m^3$ છે. જો ડોનર સાંદ્રતાનું સ્તર $4.8 \times 10^{20} / m^3$ હોય, તો સેમિકન્ડક્ટરમાં હોલ્સની સાંદ્રતા કેટલી હશે?

$P$ પ્રકારનો અર્ધવાહક તૈયાર કરવા માટે $Si$ ના નમૂનામાં ઇન્ડિયમ અશુદ્ધિ ઉમેરવામાં આવે છે. આ અર્ધવાહકમાં $Si$ ના $5 \times 10^7$ પરમાણુદીઠ ઇન્ડિયમનો એક પરમાણુ ઉમેરેલ છે. $Si$ ના નમૂનાની પરમાણુઘનતા $5 \times 10^{28} \text{ પરમાણુ/m}^3$ છે,તો સિલિકોનના $1 \text{ cm}^3$ ના સમઘનમાં એક્સેપ્ટરના કેટલા પરમાણુ હશે?

$P$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં શું હોય છે?

ડોનર અશુદ્ધિ સાથે ડોપ કરેલ સેમિકન્ડક્ટર એ ........... છે.