शुद्ध सिलिकॉन के एक नमूने में 10^{13} text{ a | vedclass

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Question

(D) $n$-प्रकार के अर्धचालक की प्रतिरोधकता $ho$ का सूत्र $ho = \frac{1}{e n_e \mu_e}$ है।दिया गया है:इलेक्ट्रॉन का आवेश $e = 1.6 	imes 10^{-19}

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$520.9$

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(D) $n$-प्रकार के अर्धचालक की प्रतिरोधकता $ho$ का सूत्र $ho = \frac{1}{e n_e \mu_e}$ है।दिया गया है:इलेक्ट्रॉन का आवेश $e = 1.6 	imes 10^{-19} 	ext{ C}$.दाता सांद्रता $n_e = 10^{13} 	ext{ atoms/cm}^3$.इलेक्ट्रॉन गतिशीलता $\mu_e = 1200 	ext{ cm}^2/	ext{V}\cdot	ext{s}$.मान रखने पर:$ho = \frac{1}{1.6 	imes 10^{-19} 	imes 10^{13} 	imes 1200}$$ho = \frac{1}{1.6 	imes 10^{-6} 	imes 1200}$$ho = \frac{1}{1920 	imes 10^{-6}}$$ho = \frac{1}{1.92 	imes 10^{-3}}$$ho = \frac{1000}{1.92} \approx 520.83 \Omega\cdot	ext{cm}$.अतः, निकटतम सही विकल्प $520.9 \Omega\cdot	ext{cm}$ है।

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