$p$-प्रकार और $n$-प्रकार के अर्धचालकों में बहुसंख्यक आवेश वाहक (majority charge carriers) क्रमशः क्या हैं?

जब एक अर्धचालक (semiconductor) को दाता अशुद्धि (donor impurity) के साथ डोप किया जाता है,

$n$-प्रकार के अर्धचालक में इलेक्ट्रॉन सांद्रता,$p$-प्रकार के अर्धचालक में होल सांद्रता के समान है। प्रत्येक पर एक बाहरी विद्युत क्षेत्र लागू किया जाता है। उनमें प्रवाहित धाराओं की तुलना करें।

एक $n$-प्रकार के अर्धचालक में, इलेक्ट्रॉन बहुसंख्यक आवेश वाहक होते हैं और होल अल्पसंख्यक आवेश वाहक होते हैं। एक $n$-प्रकार के अर्धचालक का आवेश होता है

एक $N-$ प्रकार का अर्धचालक होता है

$P$-प्रकार के अर्धचालक में, स्वीकर्ता (acceptor) ऊर्जा स्तर $E_A$ वैलेंस बैंड के ऊपर $57 \, meV$ पर स्थित है। होल बनाने के लिए आवश्यक अधिकतम तरंगदैर्ध्य ....... $\mathring{A}$ है। (दिया है: $h = 6.6 \times 10^{-34} \, J \, s$, $c = 3 \times 10^8 \, m/s$, $1 \, eV = 1.6 \times 10^{-19} \, J$)