$P$-प्रकार के अर्धचालक में, स्वीकर्ता (acceptor) ऊर्जा स्तर $E_A$ वैलेंस बैंड के ऊपर $57 \, meV$ पर स्थित है। होल बनाने के लिए आवश्यक अधिकतम तरंगदैर्ध्य ....... $\mathring{A}$ है। (दिया है: $h = 6.6 \times 10^{-34} \, J \, s$, $c = 3 \times 10^8 \, m/s$, $1 \, eV = 1.6 \times 10^{-19} \, J$)
- A$57$
- B$57 \times 10^{-3}$
- C$217100$
- D$11.61 \times 10^{-33}$
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शुद्ध सिलिकॉन में, प्रति इकाई आयतन इलेक्ट्रॉनों और होलों की संख्या $1.6 \times 10^{16} \,m^{-3}$ है। यदि सिलिकॉन को बोरॉन के साथ इस प्रकार डोप किया जाता है कि होल घनत्व बढ़कर $4 \times 10^{22} \,m^{-3}$ हो जाता है, तो डोप्ड अर्धचालक में इलेक्ट्रॉन घनत्व क्या होगा?
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