$n$-प्रकार के अर्धचालक में, फर्मी ऊर्जा स्तर स्थित होता है

  • A
    वर्जित ऊर्जा अंतराल में चालन बैंड के निकट
  • B
    वर्जित ऊर्जा अंतराल में संयोजी बैंड के निकट
  • C
    वर्जित ऊर्जा अंतराल के मध्य में
  • D
    वर्जित ऊर्जा अंतराल के बाहर

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शुद्ध $Ge$ के लिए आंतरिक वाहक घनत्व $10^{19} \ m^{-3}$ है। यदि $10^{23} \ m^{-3}$ घनत्व वाली दाता अशुद्धि मिलाई जाती है,तो होल घनत्व ($m^{-3}$ में) क्या होगा?

अर्धचालकों के आवेश के संबंध में निम्नलिखित में से कौन सा कथन सही है?

शुद्ध सिलिकॉन के एक नमूने में $10^{13} \text{ atoms/cm}^3$ फास्फोरस मिलाया जाता है। यदि सभी दाता परमाणु सक्रिय हैं और इलेक्ट्रॉन की गतिशीलता $1200 \text{ cm}^2/\text{V}\cdot\text{s}$ है, तो $20^\circ\text{C}$ पर प्रतिरोधकता $\Omega\cdot\text{cm}$ में क्या होगी?

एक $P$-प्रकार के अर्धचालक में एक्सेप्टर स्तर वैलेंस बैंड से $57 \; meV$ ऊपर है। एक होल बनाने के लिए आवश्यक प्रकाश की अधिकतम तरंगदैर्ध्य क्या है? (प्लांक नियतांक $h = 6.6 \times 10^{-34} \; J \cdot s$, प्रकाश की गति $c = 3 \times 10^8 \; m/s$)

यदि ${n_e}$ और ${n_h}$ फास्फोरस के साथ भारी डोपिंग वाले अर्धचालक में इलेक्ट्रॉनों और होलों की संख्या हैं,तो

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