$n$-ટાઈપ સેમિકન્ડક્ટરમાં, ફર્મી એનર્જી લેવલ ક્યાં હોય છે?

$n$-પ્રકાર અને $p$-પ્રકારના અર્ધવાહક શુદ્ધ સિલિકોનમાં અનુક્રમે કોનું ડોપિંગ (doping) કરીને મેળવી શકાય છે?

$p$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં,એક્સેપ્ટર લેવલ વેલેન્સ બેન્ડની ઉપર $50 \text{ meV}$ પર છે. એક હોલ ઉત્પન્ન કરવા માટે,જરૂરી પ્રકાશના ફોટોનની મહત્તમ તરંગલંબાઇ કેટલી હશે ($\mu \text{m}$ માં)? (પ્લાન્કનો અચળાંક,$h = 6.6 \times 10^{-34} \text{ Js}$ અને શૂન્યાવકાશમાં પ્રકાશની ઝડપ,$c = 3 \times 10^8 \text{ m/s}$)

જ્યારે $Ge$ સ્ફટિકોમાં ફોસ્ફરસ પરમાણુઓનું ડોપિંગ કરવામાં આવે છે,ત્યારે તે શું બને છે?

એક અર્ધવાહકમાં ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા અને હોલની સંખ્યાનો ગુણોત્તર $7/5$ છે અને તેમના પ્રવાહનો ગુણોત્તર $7/4$ છે,તો તેમના ડ્રિફ્ટ વેગનો ગુણોત્તર કેટલો હશે?

જર્મેનિયમ $(Ge)$ માં એલ્યુમિનિયમ $(Al)$ ની અશુદ્ધિ ઉમેરવામાં આવે છે. જો સ્વીકારનાર અણુઓનું સંકેન્દ્રણ $N_A \cong 10^{21} \text{ atoms/m}^3$ હોય અને આંતરિક વાહક સંકેન્દ્રણ $n_i = 10^{19} \text{ m}^{-3}$ હોય,તો ઈલેક્ટ્રોનનું સંકેન્દ્રણ કેટલું હશે?