300,K तापमान पर एक सिलिकॉन ब्लॉक की लंबाई 10, | vedclass

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Question

(D) दिया गया है: लंबाई $l = 10\,cm = 0.1\,m$,क्षेत्रफल $A = 1 	imes 10^{-4}\,m^2$,वोल्टेज $V = 2\,V$,गतिशीलता $\mu = 0.14\,m^2V^{-1}s^{-1}$,इलेक्ट्रॉ

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$6.72 	imes 10^{-7}\,A$

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(D) दिया गया है: लंबाई $l = 10\,cm = 0.1\,m$,क्षेत्रफल $A = 1 	imes 10^{-4}\,m^2$,वोल्टेज $V = 2\,V$,गतिशीलता $\mu = 0.14\,m^2V^{-1}s^{-1}$,इलेक्ट्रॉन घनत्व $n = 1.5 	imes 10^{16}\,m^{-3}$,इलेक्ट्रॉन का आवेश $e = 1.6 	imes 10^{-19}\,C$.धारा $I$ का सूत्र $I = neAv_d$ है,जहाँ $v_d$ अनुगमन वेग है।चूँकि $v_d = \mu E$ और $E = V/l$,इसलिए $v_d = \mu (V/l)$ होगा।इस मान को धारा के सूत्र में रखने पर: $I = neA \left( \frac{\mu V}{l} ight)$.$I = \frac{n e A \mu V}{l} = \frac{(1.5 	imes 10^{16}) 	imes (1.6 	imes 10^{-19}) 	imes (1 	imes 10^{-4}) 	imes 0.14 	imes 2}{0.1}$.$I = \frac{0.672 	imes 10^{-7}}{10^{-1}} = 6.72 	imes 10^{-7}\,A$.

छड़	लंबाई,व्यास,विभवांतर
$(A)$	$L, 3d, V$
$(B)$	$2L, d, 2V$
$(C)$	$3L, 2d, 2V$

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