જ્યારે $8 \times 10^{14} \ Hz$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ફોટો ઈલેક્ટ્રોન $7 \times 10^5 \ m/s$ ની મહત્તમ ઝડપ સાથે ઉત્સર્જિત થાય છે. આ સપાટી માટે થ્રેસોલ્ડ આવૃત્તિ .......... છે.

એક પ્રકાશનો સ્ત્રોત ફોટોસેલથી $20 \ cm$ અંતરે મૂકવામાં આવે છે અને માપેલ સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $0.6 \ V$ છે. જો સ્ત્રોતનું અંતર બદલીને $40 \ cm$ કરવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V$ માં કેટલું હશે?

એક જગ્યાએ પ્રકાશનું સમીકરણ $\varepsilon = (100 \text{ V/m}) [\sin(5 \times 10^{15} \text{ s}^{-1})t + \sin(8 \times 10^{15} \text{ s}^{-1})t]$ દ્વારા દર્શાવવામાં આવે છે, જે $2 \text{ eV}$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર પડે છે. ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $\text{eV}$ માં ગણો.

બે ફોટોન પ્રવાહો,જેની ઉર્જા ધાતુના વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) કરતા અનુક્રમે $5$ અને $10$ ગણી છે,તે ધાતુની સપાટી પર ક્રમશઃ આપાત થાય છે. બંને કિસ્સાઓમાં ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનના મહત્તમ વેગનો ગુણોત્તર કેટલો હશે?

$4 \ eV$ વર્કફંકશન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર $6 \ eV$ ઊર્જા ધરાવતો ફોટોન આપાત કરવામાં આવે છે,ત્યારે ઉત્સર્જાતા ફોટોઇલેક્ટ્રૉનની લઘુતમ ગતિઊર્જા ......... $eV$ છે.

$4.25\, eV$ ઉર્જા ધરાવતો ફોટોન જ્યારે ધાતુ $A$ ની સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $T_A\, eV$ અને ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ ${\lambda _A}$ છે. $4.70\, eV$ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોન દ્વારા બીજી ધાતુ $B$ માંથી મુક્ત થતા ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા ${T_B} = ({T_A} - 1.50)\, eV$ છે. જો આ ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ ${\lambda _B} = 2{\lambda _A}$ હોય,તો: