$\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા ફોટોનની ઊર્જા $2 \ eV$ છે. જ્યારે તે ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ $v$ છે. જો $\lambda$ નું મૂલ્ય $25\%$ ઘટાડવામાં આવે અને મહત્તમ વેગ બમણો કરવામાં આવે,તો ધાતુનું વર્ક ફંક્શન ...... $eV$ થાય.

એક ધાતુને $800 \, nm$ તરંગલંબાઈના પ્રકાશમાં રાખતા તે અમુક ગતિઊર્જા સાથે ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરે છે. જ્યારે $500 \, nm$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ વાપરવામાં આવે ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા બમણી થાય છે. ધાતુનું કાર્ય વિધેય (work function) $... \, eV$ છે ($hc = 1230 \, eV \cdot nm$ લો).

ફોટોઈલેક્ટ્રોન માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ:

સીઝિયમનું કાર્ય વિધેય (work function) $2.14 \ eV$ છે. જો ફોટોકરન્ટને $0.60 \ V$ ના સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ દ્વારા શૂન્ય કરવામાં આવે, તો આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઇ શોધો.

વિધાન $-1$: જ્યારે અલ્ટ્રાવાયોલેટ પ્રકાશ ફોટોસેલ પર આપાત થાય છે, ત્યારે તેનો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_0$ છે અને ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $K_{max}$ છે. જ્યારે અલ્ટ્રાવાયોલેટ પ્રકાશને $X$-કિરણો દ્વારા બદલવામાં આવે છે, ત્યારે $V_0$ અને $K_{max}$ બંને વધે છે.
વિધાન $-2$: આપાત પ્રકાશમાં રહેલી આવૃત્તિઓની શ્રેણીને કારણે ફોટોઈલેક્ટ્રોન શૂન્યથી મહત્તમ મૂલ્ય સુધીની ઝડપ સાથે ઉત્સર્જિત થાય છે.

શૂન્ય ફોટો-ઇલેક્ટ્રોન પ્રવાહ મેળવવા માટેનું રિટાર્ડિંગ પોટેન્શિયલ (સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ):