સીઝિયમનું કાર્ય વિધેય (work function) $2.14 \ eV$ છે. જો ફોટોકરન્ટને $0.60 \ V$ ના સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ દ્વારા શૂન્ય કરવામાં આવે, તો આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઇ શોધો.

$7.21 \times 10^{14} \; Hz$ ની આવૃત્તિ ધરાવતો પ્રકાશ એક ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે. સપાટી પરથી $6.0 \times 10^{5} \; m/s$ ની મહત્તમ ઝડપ ધરાવતા ઇલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. ઇલેક્ટ્રોનના ફોટો-ઉત્સર્જન માટે થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ કેટલી હશે?

એક ફોટો-એમિસિવ સેલમાં ઉત્તેજક તરંગલંબાઈ $\lambda$ હોય ત્યારે સૌથી ઝડપી ઇલેક્ટ્રોનની ઝડપ $v$ છે. જો ઉત્તેજક તરંગલંબાઈ બદલીને $\frac{3\lambda}{4}$ કરવામાં આવે,તો સૌથી ઝડપી ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની ઝડપ કેટલી હશે?

સીઝિયમનું કાર્ય વિધેય (work function) $2.27 eV$ છે. $600 nm$ તરંગલંબાઇ ધરાવતા પ્રકાશથી ઉત્તેજિત સીઝિયમ કેથોડમાંથી ઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન અટકાવવા માટેનું કટ-ઓફ વોલ્ટેજ કેટલું હશે?

આપેલ છે કે $10,000\;\mathring A$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા પ્રકાશના ફોટોનની ઉર્જા $1.23\; eV$ છે. જ્યારે $5000\;\mathring A$ તરંગલંબાઈ અને $I_0$ તીવ્રતા ધરાવતો પ્રકાશ ફોટોઈલેક્ટ્રિક સેલ પર પડે છે,ત્યારે સેચ્યુરેશન કરંટ $0.40 \times 10^{-6}\; A$ અને સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $1.36\; V$ છે; તો વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) ..... $eV$ છે.

એક ધાતુનું કાર્ય વિધેય (work function) $1.6 \times 10^{-19} \, J$ છે. જ્યારે ધાતુની સપાટી પર $6400 \, \mathring{A}$ તરંગલંબાઇનો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી હશે? (પ્લાન્કનો અચળાંક $h = 6.4 \times 10^{-34} \, Js$)