સીઝિયમનું કાર્ય વિધેય (work function) $2.27 eV$ છે. $600 nm$ તરંગલંબાઇ ધરાવતા પ્રકાશથી ઉત્તેજિત સીઝિયમ કેથોડમાંથી ઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન અટકાવવા માટેનું કટ-ઓફ વોલ્ટેજ કેટલું હશે?

એક ચોક્કસ ધાતુ માટે વર્ક ફંક્શન $4.2 \; eV$ છે. શું આ ધાતુ $330 \; nm$ તરંગલંબાઇ ધરાવતા આપાત વિકિરણ માટે ફોટોઇલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન આપશે?

નીચેની આકૃતિમાં,જો $V_2 > V_1$ હોય,તો:

એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક સપાટીને ક્રમશઃ $\lambda$ અને $\lambda /2$ તરંગલંબાઈના એકવર્ણી પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. જો બીજા કિસ્સામાં ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા પ્રથમ કિસ્સા કરતાં $3$ ગણી હોય,તો પદાર્થની સપાટીનું વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) કેટલું હશે?
$(h =$ પ્લાન્કનો અચળાંક,$c =$ પ્રકાશની ઝડપ $)$

સીઝિયમ ધાતુનું વર્ક ફંક્શન $2.14 \; eV$ છે. જ્યારે $6 \times 10^{14} \; Hz$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઇલેક્ટ્રોનનું ફોટો-ઉત્સર્જન થાય છે. તો
$(a)$ ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા,
$(b)$ સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ,અને
$(c)$ ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ઝડપ કેટલી હશે?

જ્યારે $8 \times 10^{14} \ Hz$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ફોટો ઈલેક્ટ્રોન $7 \times 10^5 \ m/s$ ની મહત્તમ ઝડપ સાથે ઉત્સર્જિત થાય છે. આ સપાટી માટે થ્રેસોલ્ડ આવૃત્તિ .......... છે.