ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં,જો આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઈ $6000 \ \mathring{A}$ થી ઘટાડીને $4000 \ \mathring{A}$ કરવામાં આવે અને વિકિરણની તીવ્રતા અચળ રાખવામાં આવે,તો:

આઈન્સ્ટાઈનની ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર સમજાવો અને આઈન્સ્ટાઈનનું ફોટોઈલેક્ટ્રિક સમીકરણ તારવો.

$2.4 \text{ eV}$ ઉર્જા અને $\lambda$ તરંગલંબાઇ ધરાવતા ફોટોન એક ધાતુની પ્લેટ પર આપાત થાય છે અને $v$ મહત્તમ વેગ સાથે ફોટોઇલેક્ટ્રોન મુક્ત કરે છે। $\lambda$ માં $50 \%$ ઘટાડો કરવાથી, ફોટોઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ $3 v$ થાય છે। ધાતુની પ્લેટના દ્રવ્યનું કાર્ય વિધેય (work function) કેટલું હશે ($\text{ eV}$ માં)?

જ્યારે પ્રકાશસંવેદી સપાટી પર $\lambda_{1}$ અને $\lambda_{2}$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા અનુક્રમે $E_{1}$ અને $E_{2}$ છે. પ્રકાશસંવેદી સપાટીનું કાર્ય વિધેય (work function) કેટલું હશે?

એક ધાતુની સપાટીનું કાર્ય વિધેય (work function) $5.01 \, eV$ છે. જ્યારે તેના પર $2000 \, \mathring{A}$ તરંગલંબાઇનો પ્રકાશ આપાત થાય છે ત્યારે ફોટો-ઇલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. સૌથી ઝડપી ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનને રોકવા માટે લાગુ પાડવો પડતો પોટેન્શિયલ તફાવત ............... $volt$ છે $[h = 4.14 \times 10^{-15} \, eV \cdot s]$

સીઝિયમની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ $5.16 \times 10^{14} \ Hz$ છે. તો તેનું વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) . . . . . . $eV$ છે.