પોટેશિયમની થ્રેસોલ્ડ આવૃત્તિ $3 \times 10^{14} \ Hz$ છે. તો કાર્ય વિધેય ...... છે.

સોડિયમની સપાટીને $3000\ \mathring A$ તરંગલંબાઈના પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. સોડિયમનું કાર્ય વિધેય $2.6\ eV$ છે. તો ઉત્સર્જાતા ઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ $K.E.$ ........ $eV$ છે.

$\phi_0$ વર્ક-ફંક્શન ધરાવતા ફોટોઈલેક્ટ્રિક પદાર્થ પર $\lambda$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે (જ્યાં $\lambda < \frac{hc}{\phi_0}$). સૌથી ઝડપી ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ $\lambda_d$ છે. આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઈમાં $\Delta \lambda$ જેટલો ફેરફાર થવાથી $\lambda_d$ માં $\Delta \lambda_d$ જેટલો ફેરફાર થાય છે. તો ગુણોત્તર $\frac{\Delta \lambda_d}{\Delta \lambda}$ કોના સમપ્રમાણમાં છે?

વિધાન : જો ધાતુનું વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) ઓછું હોય તો તેની ફોટોસેન્સિટિવિટી વધારે હોય છે.
કારણ : વર્ક ફંક્શન $= hf_0$ જ્યાં $f_0$ એ થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ છે.

જ્યારે $\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતું વિકિરણ ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $4.8 \ V$ છે. જો તે જ સપાટીને બમણી તરંગલંબાઈ ધરાવતા વિકિરણ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $1.6 \ V$ થાય છે. તો સપાટી માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ કેટલી હશે?

તરંગલંબાઈ $\lambda$ અને પ્રકાશની તીવ્રતા $L$ ધરાવતો પ્રકાશનો કિરણપુંજ સોડિયમની શુદ્ધ સપાટી પર આપાત થાય છે. જો $N$ ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય અને દરેકની ગતિઊર્જા $E$ હોય,તો