ધારો કે $v$ એ આપાત ફોટોનની આવૃત્તિ છે અને $v_0$ એ થ્રેસોલ્ડ આવૃત્તિ છે. ફોટો ઇલેક્ટ્રોનના ઉત્સર્જન માટેની શરત શું છે?

તરંગલંબાઈ $\lambda$ અને તીવ્રતા $I$ ધરાવતો પ્રકાશ એક ફોટોસેન્સિટિવ પદાર્થ પર પડે છે. જો $N$ ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય,જે દરેકની ગતિઊર્જા $E$ હોય,તો:

જો ફોટોસેલમાંથી ઉત્સર્જિત થતા ઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ $4 \times 10^8 \, cm/s$ હોય,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ ................ $V$ થશે (ઇલેક્ટ્રોનનું દળ $= 9 \times 10^{-31} \, kg$).

એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં,આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ એમિટર પ્લેટ $E$ પર એકવર્ણી પ્રકાશ આપાત થાય છે. જ્યારે સ્વીચ $S_1$ બંધ હોય અને સ્વીચ $S_2$ ખુલ્લી હોય,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોન $1 eV$ ની મહત્તમ ગતિઊર્જા સાથે કલેક્ટર પ્લેટ $C$ પર અથડાય છે. જો સ્વીચ $S_1$ ખુલ્લી હોય અને સ્વીચ $S_2$ બંધ હોય અને આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ બમણી કરવામાં આવે,તો ફોટોઈલેક્ટ્રોન $20 eV$ ની મહત્તમ ગતિઊર્જા સાથે કલેક્ટર પ્લેટ પર અથડાય છે. એમિટર પ્લેટની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ કેટલી હશે?

એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક ધાતુની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ $\nu_0$ છે. જો આ ધાતુ પર $4\nu_0$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $.......h\nu_0$ થશે.

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર મુજબ,ધાતુમાંથી ઉત્સર્જિત ફોટો-ઈલેક્ટ્રોનની ગતિ ઊર્જા વિરુદ્ધ આપાત વિકિરણની આવૃત્તિનો આલેખ એક સીધી રેખા આપે છે,જેનો ઢાળ