$C$ અને $Si$ બંને સમાન લેટીસ બંધારણ ધરાવે છે; દરેક માં $4$ બંધન ઇલેક્ટ્રોન હોય છે. જોકે,$C$ એ અવાહક છે જ્યારે $Si$ એ શુદ્ધ અર્ધવાહક છે. આનું કારણ એ છે કે:

• A
  $C$ ના કિસ્સામાં નિરપેક્ષ શૂન્ય તાપમાને વેલેન્સ બેન્ડ સંપૂર્ણપણે ભરાયેલ નથી.
• B
  $C$ ના કિસ્સામાં નિરપેક્ષ શૂન્ય તાપમાને પણ કન્ડક્શન બેન્ડ આંશિક રીતે ભરાયેલ હોય છે.
• C
  $C$ ના કિસ્સામાં ચાર બંધન ઇલેક્ટ્રોન બીજી કક્ષામાં હોય છે,જ્યારે $Si$ ના કિસ્સામાં તે ત્રીજી કક્ષામાં હોય છે.
• D
  $C$ ના કિસ્સામાં ચાર બંધન ઇલેક્ટ્રોન ત્રીજી કક્ષામાં હોય છે,જ્યારે $Si$ ના કિસ્સામાં તે ચોથી કક્ષામાં હોય છે.