આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ $AB$ ની વચ્ચે $2\,V$ ની બેટરી જોડવામાં આવી છે. જ્યારે એક કિસ્સામાં બેટરીનો ધન ટર્મિનલ $A$ સાથે અને બીજા કિસ્સામાં બેટરીનો ધન ટર્મિનલ $B$ સાથે જોડવામાં આવે ત્યારે બેટરી દ્વારા પૂરો પાડવામાં આવતો પ્રવાહ અનુક્રમે કેટલો હશે?

$P-N$ જંકશન બનાવવા માટે $Si$ દ્રવ્યનો ઉપયોગ કરવામાં આવ્યો છે. તો ડેપ્લેશન બેરિયરની ઉંચાઈ આશરે કેટલા $V$ હશે?

આપેલ આકૃતિમાં $A$ અને $B$ વચ્ચેનો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત :-............. $V$ છે.

$p-n$ જંકશનને કેપેસિટર તરીકે ગણો, જેમાં $p$ અને $n$-મટિરિયલ પાતળા ધાતુના ઇલેક્ટ્રોડ તરીકે અને ડેપ્લેશન લેયરની પહોળાઈ તેમની વચ્ચેના અંતર તરીકે કાર્ય કરે છે. આના આધારે, ધારો કે એક $n-p-n$ ટ્રાન્ઝિસ્ટર $CE$ કોન્ફિગરેશનમાં એમ્પ્લીફાયર તરીકે કામ કરી રહ્યું છે. જો $C_1$ અને $C_2$ એ બેઝ-એમિટર્સ અને કલેક્ટર-એમિટર્સ જંકશન કેપેસિટન્સ હોય, તો :

$p-n$ જંકશન ડાયોડમાં ડિફ્યુઝન પ્રવાહની દિશા કઈ તરફ હોય છે?

p-n જંકશન પર $0.4 \,V$ નો પોટેન્શિયલ બેરિયર અસ્તિત્વ ધરાવે છે. એક ઇલેક્ટ્રોન $n$-બાજુથી $6.0 \times 10^{5} \,ms^{-1}$ ની ઝડપે જંકશનમાં પ્રવેશે છે. જે ઝડપ સાથે ઇલેક્ટ્રોન $p$-બાજુમાં પ્રવેશશે તે $\frac{x}{3} \times 10^{5} \,ms^{-1}$ છે. $x$ નું મૂલ્ય ............. છે.
(આપેલ છે: ઇલેક્ટ્રોનનું દળ $= 9 \times 10^{-31} \,kg$,ઇલેક્ટ્રોન પરનો વિદ્યુતભાર $= 1.6 \times 10^{-19} \,C$.)