$p-n$ ફોટોડાયોડ $2.0\, eV$ ના બેન્ડ ગેપ ધરાવતા પદાર્થમાંથી બનાવવામાં આવે છે. આ પદાર્થ દ્વારા શોષી શકાય તેવા વિકિરણની લઘુત્તમ આવૃત્તિ આશરે કેટલી હશે?

  • A
    $1 \times 10^{14}\, Hz$
  • B
    $20 \times 10^{14}\, Hz$
  • C
    $10 \times 10^{14}\, Hz$
  • D
    $5 \times 10^{14}\, Hz$

Explore More

Similar Questions

$LED$ ના $I-V$ લાક્ષણિકતાઓ કયા આલેખ દ્વારા યોગ્ય રીતે દર્શાવવામાં આવી છે?

$GaAsP$ નો ઉપયોગ કરીને $p-n$ જંકશન ડાયોડમાંથી $LED$ બનાવવામાં આવે છે. એનર્જી ગેપ $1.9\; eV$ છે. ઉત્સર્જિત પ્રકાશની તરંગલંબાઇ કેટલી હશે?

ફોટોડાયોડ માટે અલગ-અલગ પ્રકાશની તીવ્રતા $I_1, I_2, I_3$ અને $I_4$ માટે $I-V$ લાક્ષણિકતાઓ આકૃતિમાં દર્શાવેલ છે. તો નીચેનામાંથી કઈ મહત્તમ તીવ્રતા દર્શાવે છે?

$LED$ દ્રશ્યમાન પ્રકાશના વિસ્તારમાં પ્રકાશ ઉત્સર્જિત કરી શકે તે માટે,તેનો એનર્જી બેન્ડ ગેપ કઈ રેન્જમાં હોવો જોઈએ?

વિધાન $(A)$: $Si$ અને $GaAs$ એ સોલર સેલ માટે પસંદગીના પદાર્થો છે.
કારણ $(R)$: આ બંને પદાર્થોના એનર્જી બેન્ડ ગેપ સૌર વર્ણપટમાં મહત્તમ સૌર વિકિરણને અનુરૂપ ઉર્જા સ્તર કરતા ઘણા નીચે છે.

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo