एक $p-n$ फोटोडायोड $2.0\, eV$ के बैंड गैप वाले पदार्थ से बना है। इस पदार्थ द्वारा अवशोषित की जा सकने वाली विकिरण की न्यूनतम आवृत्ति लगभग कितनी होगी?

सौर ऊर्जा पर कार्य करने वाले उपकरणों की पहचान कीजिए।
$(a)$ फोटोडायोड
$(b)$ फोटोवोल्टिक सेल
$(c)$ $LED$
$(d)$ फोटो-थर्मल उपकरण

जब एक मल्टीमीटर (प्रतिरोध मापने वाले मोड में) के प्रोब्स को किसी घटक के आर-पार जोड़ा जाता है और उन्हें उलट दिया जाता है, तो निम्नलिखित में से क्या $\text{नहीं}$ देखा जाएगा?

$2.8 \; eV$ के बैंड गैप वाले अर्धचालक (semiconductor) से एक $p-n$ फोटोडायोड बनाया गया है। क्या यह $6000 \; nm$ की तरंगदैर्ध्य का पता लगा सकता है?

जब प्रकाश एक $p-n$ जंक्शन डायोड पर पड़ता है,तो धारा $I$ बनाम वोल्टेज $V$ को नीचे दिए गए चित्र के अनुसार देखा जाता है। डायोड किस चतुर्थांश (quadrant) में शक्ति उत्पन्न करता है,ताकि इसका उपयोग सौर सेल के रूप में किया जा सके?

एक परिवार $8 \; kW$ शक्ति का उपयोग करता है।
$(a)$ सीधी सौर ऊर्जा क्षैतिज सतह पर $200 \; W$ प्रति वर्ग मीटर की औसत दर से आपतित होती है। यदि इस ऊर्जा का $20 \%$ उपयोगी विद्युत ऊर्जा में परिवर्तित किया जा सकता है, तो $8 \; kW$ की आपूर्ति के लिए कितने बड़े क्षेत्रफल की आवश्यकता होगी?
$(b)$ इस क्षेत्रफल की तुलना एक सामान्य घर की छत से करें।