એક કેપેસિટરને આકૃતિ $A$ માં દર્શાવ્યા મુજબ ડાયઇલેક્ટ્રિક $(K=2)$ વડે અડધું ભરવામાં આવે છે. જો તે જ કેપેસિટરને આકૃતિ $B$ માં દર્શાવ્યા મુજબ તે જ ડાયઇલેક્ટ્રિક વડે ભરવાનું હોય, તો ડાયઇલેક્ટ્રિકની જાડાઈ $t$ કેટલી હોવી જોઈએ જેથી કેપેસિટરની કેપેસીટન્સ સમાન રહે?

આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર બે ડાયલેક્ટ્રિક્સથી ભરેલું છે. દરેક પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ $A \; m^2$ છે અને પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $t \; m$ છે. ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંકો અનુક્રમે $k_1$ અને $k_2$ છે. તેનું કેપેસિટન્સ ફેરાડમાં કેટલું હશે?

$C$ ફેરાડે કેપેસિટન્સ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને $V$ વોલ્ટના emf ધરાવતી બેટરી સાથે જોડવામાં આવે છે. કેપેસિટરને બેટરી સાથે જોડાયેલ રાખીને,$K$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબને પ્લેટોની વચ્ચે દાખલ કરવામાં આવે છે. સ્લેબના પરિમાણો એવા છે કે તે કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેની સંપૂર્ણ જગ્યા ભરી દે છે. તો $:-$

એક ચાર્જ્ડ સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $5 \ cm$ છે અને પ્લેટોની અંદરનું વિદ્યુતક્ષેત્ર $200 \ V/cm$ છે. $2 \ cm$ પહોળાઈનો એક અનચાર્જ્ડ મેટલ બાર કેપેસિટરમાં સંપૂર્ણપણે ડૂબાડવામાં આવે છે. મેટલ બારની લંબાઈ કેપેસિટરની પ્લેટ જેટલી જ છે. બારને ડૂબાડ્યા પછી કેપેસિટરનો વોલ્ટેજ......$V$ થશે.

$5 \text{ mm}$ પ્લેટ અંતર ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને બેટરી દ્વારા ચાર્જ કરવામાં આવે છે. $2 \text{ mm}$ જાડાઈની માઈકાની શીટ દાખલ કરવા પર અને પ્લેટોના બેટરીના ટર્મિનલ્સ સાથેના જોડાણો જાળવી રાખતા, તે બેટરીમાંથી $25 \%$ વધુ ચાર્જ ખેંચે છે. માઈકાનો ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક . . . . . . છે.

જ્યારે ચાર્જ થયેલા કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે ડાયઇલેક્ટ્રિક પદાર્થ દાખલ કરવામાં આવે છે,ત્યારે પ્લેટો વચ્ચેના વિદ્યુતક્ષેત્ર પર શું અસર થાય છે?