એક ડાયોડ કે જેના જંકશન પર $0.5\, V$ નો પોટેન્શિયલ તફાવત છે,જે પ્રવાહ પર આધારિત નથી,તેને $20\, \Omega$ ના અવરોધ સાથે શ્રેણીમાં એક સોર્સ સાથે જોડવામાં આવે છે. જો અવરોધમાંથી $0.1\, A$ પ્રવાહ પસાર થતો હોય,તો સોર્સનો વોલ્ટેજ કેટલો હશે ($, V$ માં)?

એક સેમિકન્ડક્ટર $(Ge - As)$ નો એનર્જી ગેપ $1.43\, eV$ છે. જ્યારે આવા સેમિકન્ડક્ટરમાં હોલ અને ઈલેક્ટ્રોનનું પુનઃસંયોજન થાય ત્યારે ઉત્સર્જિત થતી મહત્તમ તરંગલંબાઈ $\mathring{A}$ માં કેટલી હશે?

નીચે બે વિધાનો આપેલા છે: એકને વિધાન $A$ અને બીજાને કારણ $R$ તરીકે લેબલ કરવામાં આવ્યું છે.
વિધાન $A$: રિવર્સ-બાયસ સ્થિતિમાં ડાયોડ ખૂબ જ ઓછો પ્રવાહ આપે છે જે એક નિર્ણાયક મર્યાદા સુધી વોલ્ટેજથી લગભગ સ્વતંત્ર હોય છે, જેના પર પ્રવાહમાં તીવ્ર વધારો થાય છે.
કારણ $R$: નિર્ણાયક વોલ્ટેજ મર્યાદાની નીચે, માત્ર મેજોરિટી ચાર્જ કેરિયર્સ વહે છે જે નિર્ણાયક વોલ્ટેજની ઉપર તીવ્રતાથી વધે છે.

નીચેની આકૃતિમાં,કયા ડાયોડ ફોરવર્ડ બાયસમાં છે?

શુદ્ધ જર્મેનિયમ ક્રિસ્ટલના વેફરના બે ભાગ $X$ અને $Y$ છે. છેડો $X$ આર્સેનિક સાથે ડોપિંગ કરીને અને $Y$ ઇન્ડિયમ સાથે ડોપિંગ કરીને મેળવવામાં આવે છે. તેને આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ બેટરી સાથે જોડવામાં આવે છે. નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

$p-n$ જંકશનનો બેરિયર પોટેન્શિયલ નીચેનામાંથી કોના પર આધાર રાખે છે:
$(1)$ સેમિકન્ડક્ટર મટીરીયલનો પ્રકાર
$(2)$ ડોપિંગનું પ્રમાણ
$(3)$ તાપમાન
નીચેનામાંથી કયું સાચું છે?