એક લાઈટ એમિટિંગ ડાયોડ $(LED)$ $GaAs$ સેમિકન્ડક્ટર મટીરીયલનો ઉપયોગ કરીને બનાવવામાં આવે છે, જેનો બેન્ડ ગેપ $1.42 \,eV$ છે. $LED$ માંથી ઉત્સર્જિત પ્રકાશની તરંગલંબાઇ કેટલી હશે ($\,nm$ માં)?

$LED$ વિશે નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

સૌર વિકિરણોનું emf માં કાર્યક્ષમ રૂપાંતરણ કરવા માટે પદાર્થ $A$ નો ઉપયોગ કરીને એક સોલર સેલ બનાવવાનો છે. સોલર સેલને પદાર્થ $B$ ના કોટિંગની મદદથી યાંત્રિક રીતે સુરક્ષિત રાખવાનો છે. જો પદાર્થ $A$ અને $B$ ની બેન્ડ ગેપ ઉર્જા અનુક્રમે $E_{A}$ અને $E_{B}$ હોય,તો સોલર સેલના વધુ સારા પ્રદર્શન માટે નીચેનામાંથી કયો વિકલ્પ શ્રેષ્ઠ છે?

એક $LED$ ના $V-I$ લાક્ષણિકતાઓ કયા આલેખ દ્વારા યોગ્ય રીતે દર્શાવવામાં આવી છે?

$GaAsP$ નો ઉપયોગ કરીને $p-n$ જંકશન ડાયોડમાંથી $LED$ બનાવવામાં આવે છે. એનર્જી ગેપ $1.9\; eV$ છે. ઉત્સર્જિત પ્રકાશની તરંગલંબાઇ કેટલી હશે?

$LED$ ઝિંક સેલેનાઇડનો ઉપયોગ કરીને બનાવવામાં આવે છે,તો તે શું ઉત્સર્જિત કરે છે?