एक लाइट एमिटिंग डायोड (LED) को GaAs अर्धचालक | vedclass

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Question

(C) उत्सर्जित फोटॉन की ऊर्जा अर्धचालक की बैंड गैप ऊर्जा के बराबर होती है, $E_g = 1.42 \,eV$.तरंगदैर्ध्य $\lambda$ और ऊर्जा $E$ के बीच संबंध सूत्र द्वा

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$875$

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(C) उत्सर्जित फोटॉन की ऊर्जा अर्धचालक की बैंड गैप ऊर्जा के बराबर होती है, $E_g = 1.42 \,eV$.तरंगदैर्ध्य $\lambda$ और ऊर्जा $E$ के बीच संबंध सूत्र द्वारा दिया जाता है: $\lambda = \frac{hc}{E}$.$hc \approx 1240 \,eV \cdot nm$ के सन्निकटन का उपयोग करते हुए:$\lambda = \frac{1240 \,eV \cdot nm}{1.42 \,eV} \approx 873.24 \,nm$.दिए गए विकल्पों के अनुसार निकटतम मान लेने पर, $\lambda \approx 875 \,nm$ प्राप्त होता है।

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