$1.07 eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર $332 nm$ તરંગલંબાઇનો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે. ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનને ઉત્સર્જન કરતા અટકાવવા માટે જરૂરી રિટાર્ડિંગ પોટેન્શિયલ (સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ) .............. $V$ છે.

ધાતુ $A$ અને $B$ ના વર્ક ફંક્શનનો ગુણોત્તર $1 : 2$ છે. જો $f$ અને $2f$ આવૃત્તિ ધરાવતો પ્રકાશ અનુક્રમે $A$ અને $B$ ની સપાટી પર આપાત કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જાનો ગુણોત્તર કેટલો હશે? ($f$ અને $2f$ બંને આવૃત્તિઓ ધાતુ $A$ અને $B$ ની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ કરતા વધારે છે).

$\nu$ આવૃત્તિ ધરાવતો પ્રકાશ $\nu_0$ થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ ધરાવતા પદાર્થ પર આપાત થાય છે (જ્યાં $\nu_0 < \nu$). ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી હશે?

એક ધાતુની સપાટીને $248 \ nm$ અને $310 \ nm$ એમ બે અલગ-અલગ તરંગલંબાઈના પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. આ તરંગલંબાઈઓને અનુરૂપ ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ઝડપ અનુક્રમે $u_1$ અને $u_2$ છે. જો ગુણોત્તર $u_1: u_2 = 2: 1$ હોય અને $hc = 1240 \ eV \ nm$ હોય,તો ધાતુનું વર્ક ફંક્શન આશરે કેટલું હશે ($eV$ માં)?

એક ચોક્કસ ધાતુની સપાટીને $\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા એકવર્ણી પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. આ પ્રકાશ માટે ફોટો-ઇલેક્ટ્રિક પ્રવાહનું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $3V_0$ છે. જો તે જ સપાટીને $2\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_0$ મળે છે. આ સપાટી માટે ફોટો-ઇલેક્ટ્રિક અસરની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ કેટલી હશે?

ફોટોઇલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગ અંગે નીચેના વિધાનો ધ્યાનમાં લો:
$(I)$ ધાતુ પર પ્રકાશ પડતાની સાથે જ ફોટોઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન થાય છે.
$(II)$ એક લઘુત્તમ આવૃત્તિ હોય છે જેની નીચે કોઈ ફોટોકરંટ જોવા મળતો નથી.
$(III)$ સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ એ પ્રકાશની આવૃત્તિના પ્રમાણમાં હોય છે.
$(IV)$ ફોટોકરંટ પ્રકાશની તીવ્રતા સાથે રેખીય રીતે બદલાય છે.
ઉપરોક્તમાંથી કયા વિધાનો સૂચવે છે કે પ્રકાશ એ ક્વોન્ટા (ફોટોન) નો બનેલો છે જેની ઉર્જા આવૃત્તિના પ્રમાણમાં હોય છે?