$x-$ દિશામાં ગતિ કરતા ઇલેક્ટ્રોનનો સમાંતર બીમ $d$ પહોળાઈની સ્લિટ પર પડે છે. જો સ્લિટમાંથી પસાર થયા પછી,ઇલેક્ટ્રોન $y-$ દિશામાં $P_y$ વેગમાન મેળવે છે,તો સ્લિટમાંથી પસાર થતા મોટાભાગના ઇલેક્ટ્રોન માટે ($h$ એ પ્લાન્કનો અચળાંક છે):

ઈલેક્ટ્રોનનો તરંગ ગુણધર્મ સૂચવે છે કે તેઓ વિવર્તન અસર ઉત્પન્ન કરશે. ડેવિસન અને ગર્મરે સ્ફટિક પરથી ઈલેક્ટ્રોનનું વિવર્તન કરીને પ્રાયોગિક રીતે આ સાબિત કર્યું. સ્ફટિક પરથી વિવર્તનનો નિયમ,સ્ફટિકના પરમાણુઓના સમતલ પરથી પરાવર્તન પામતા ઈલેક્ટ્રોન તરંગોના રચનાત્મક વ્યતિકરણ પરથી મેળવવામાં આવે છે. જ્યારે ઈલેક્ટ્રોન સ્ફટિકના સમતલ પર લંબ સાથે $i$ ખૂણે આપાત થાય છે અને સમતલો વચ્ચેનું અંતર $d$ હોય,ત્યારે જો તીક્ષ્ણ વિવર્તન પીક મળે,તો ઈલેક્ટ્રોનની દ-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ શોધવા માટે નીચેનામાંથી કયા સમીકરણનો ઉપયોગ કરી શકાય?

ડેવિસન-ગર્મર પ્રયોગ એ શેનો સીધો પુરાવો છે?

હાઇઝનબર્ગના અનિશ્ચિતતાના સિદ્ધાંતનો ઉપયોગ કરીને,નીચેના કણોને તેમની લઘુત્તમ શક્ય ઉર્જાના વધતા ક્રમમાં ગોઠવો.
$(I)$ $H_{2}$ અણુમાં રહેલ ઇલેક્ટ્રોન
$(II)$ $H_{2}$ અણુમાં રહેલ હાઇડ્રોજન પરમાણુ
$(III)$ કાર્બન ન્યુક્લિયસમાં રહેલ પ્રોટોન
$(IV)$ નેનોટ્યુબની અંદર રહેલ $H_{2}$ અણુ

ડેવિસન અને જર્મરના પ્રયોગમાં,ઇલેક્ટ્રોન ગનમાંથી ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનનો વેગ શેના દ્વારા વધારી શકાય છે?

ડેવિસન-ગર્મરના પ્રયોગમાં,$1.5 \ \mathring{A}$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો ઈલેક્ટ્રોન પુંજ $3 \ \mathring{A}$ પરમાણ્વીય અંતર ધરાવતા સ્ફટિક પર લંબરૂપે આપાત થાય છે. પ્રથમ મહત્તમ (first maximum) કેટલા અંશના ખૂણે રચાશે?