એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $C$ છે. જો પ્લેટો પરના વિદ્યુતભારો $Q$ અને $-3Q$ હોય,તો પ્લેટો વચ્ચેનો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત શોધો.

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને ચાર્જ કરવામાં આવે છે અને પછી તેને સ્થિર $E.M.F.$ ના સ્ત્રોતથી અલગ કરવામાં આવે છે. ત્યારબાદ પ્લેટોને એકબીજાથી દૂર ખેંચવામાં આવે છે. ફરીથી તેને તે જ સ્ત્રોત સાથે જોડવામાં આવે છે. તો:

$27$ સમાન ટીપાંઓ દરેક $22 \ V$ પર ચાર્જ થયેલ છે. તેઓ જોડાઈને એક મોટું ટીપું બનાવે છે. મોટા ટીપાંનું પોટેન્શિયલ............ $V$ હશે.

આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ ત્રણ કેપેસિટર બેટરી સાથે જોડાયેલા છે. કેપેસિટર $C_3$ અને $C_1$ પરના વિદ્યુતભારનો ગુણોત્તર કેટલો છે ($.5$ માં)?

ચાર કેપેસિટર,જેમના કેપેસીટન્સ અને બ્રેકડાઉન વોલ્ટેજ આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ જોડાયેલા છે. સ્ત્રોતનું મહત્તમ $EMF$ કેટલું હોવું જોઈએ જેથી કોઈ પણ કેપેસિટર બ્રેકડાઉન ન થાય ($kV$ માં)?

$2 \mu F$ અને $3 \mu F$ ના બે કેપેસિટરને અનુક્રમે $150 \ V$ અને $120 \ V$ સુધી ચાર્જ કરવામાં આવે છે. કેપેસિટરની પ્લેટો આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ જોડાયેલ છે. $1.5 \mu F$ ક્ષમતા ધરાવતું એક ડિસ્ચાર્જ થયેલ કેપેસિટર વાયરના મુક્ત છેડાઓ સાથે જોડવામાં આવે છે. તો: