એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને બેટરી સાથે જોડવામાં આવે છે. જો પ્લેટોની વચ્ચે ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ દાખલ કરવામાં આવે,તો નીચેનામાંથી કઈ રાશિમાં વધારો થાય છે?

હવામાં $r$ અંતરે રહેલા બે બિંદુવત વિદ્યુતભારો વચ્ચે $F$ બળ લાગે છે. જ્યારે તેમને $K$ ડાયઈલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા માધ્યમમાં મૂકવામાં આવે,ત્યારે કેટલા અંતરે તેમની વચ્ચે લાગતું બળ સમાન રહેશે?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટોનું ક્ષેત્રફળ $0.4 \pi \,m^2$ અને અંતર $0.5 \,mm$ છે. જો કેપેસિટરની પ્લેટોની વચ્ચે $0.5 \,mm$ જાડાઈ અને $4.5$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી સ્લેબ મૂકવામાં આવે, તો કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ કેટલું થશે?

$2C$ અને $C$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા બે કેપેસિટરોને સમાંતર જોડવામાં આવે છે અને $V$ પોટેન્શિયલ સુધી ચાર્જ કરવામાં આવે છે. બેટરી દૂર કરવામાં આવે છે અને $C$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા કેપેસિટરને $K$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા માધ્યમથી સંપૂર્ણપણે ભરવામાં આવે છે. હવે કેપેસિટરો વચ્ચેનો પોટેન્શિયલ તફાવત કેટલો હશે?

હવા ભરેલા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની કેપેસિટન્સ $C_0$ છે. આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યાનો અડધો ભાગ $K$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા પદાર્થથી ભરવામાં આવે છે. નવું કેપેસિટન્સ $C_n$ થાય છે. $C_n$ અને $C_0$ નો ગુણોત્તર કેટલો થાય?

$C_0$ કેપેસીટન્સ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરને $V_0$ વોલ્ટેજ સુધી ચાર્જ કરવામાં આવે છે. બેટરી દૂર કર્યા પછી,જો પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર બમણું કરવામાં આવે,તો તેમાં સંગ્રહિત ઉર્જા $E_1$ છે. તેના બદલે,જો બેટરી જોડેલી રાખીને પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર બમણું કરવામાં આવે,તો તેમાં સંગ્રહિત ઉર્જા $E_2$ છે. તો $\frac{E_2}{E_1}$ નું મૂલ્ય કેટલું થાય?