$200 \,\mu F$ કેપેસીટન્સ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરને $200 \,V$ ની બેટરી સાથે જોડવામાં આવે છે. જ્યારે બેટરી જોડાયેલી રહે છે,ત્યારે કેપેસીટરની પ્લેટો વચ્ચે $2$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી ડાયલેક્ટ્રિક સ્લેબ દાખલ કરવામાં આવે છે. કેપેસીટરમાં સ્થિત વિદ્યુત ઊર્જામાં થતો ફેરફાર ...... $J$ હશે.

$5 \ mm$ પ્લેટ સેપરેશન ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને બેટરી દ્વારા ચાર્જ કરવામાં આવે છે. જ્યારે બેટરીના જોડાણો યથાવત રાખીને $2 \ mm$ જાડાઈની ડાયઇલેક્ટ્રિક શીટ દાખલ કરવામાં આવે છે,ત્યારે કેપેસિટર અગાઉ કરતા $25 \%$ વધુ ચાર્જ ખેંચે છે. શીટનો ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક . . . . . . છે.

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર $A$ ક્ષેત્રફળ ધરાવતી બે ચોરસ સમાંતર પ્લેટોનું બનેલું છે,જે $d << \sqrt{A}$ અંતરે અલગ થયેલ છે. કેપેસિટરને $V$ પોટેન્શિયલ ધરાવતી બેટરી સાથે જોડવામાં આવે છે અને તેને સંપૂર્ણ ચાર્જ થવા દેવામાં આવે છે. ત્યારબાદ બેટરી દૂર કરવામાં આવે છે. $A$ ક્ષેત્રફળ અને $d/2$ જાડાઈ ધરાવતી એક ધાતુની સ્લેબને પ્લેટોની વચ્ચે એવી રીતે દાખલ કરવામાં આવે છે કે તે હંમેશા પ્લેટોને સમાંતર રહે. સ્લેબને દાખલ કરતી વખતે બાહ્ય એજન્ટ દ્વારા કેટલું કાર્ય કરવામાં આવ્યું હશે?

એક કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $15\ \mu F$ અને પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $2\ mm$ છે. જો પ્લેટોની વચ્ચે $K = 2$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક અને $t = 1\ mm$ જાડાઈ ધરાવતી ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ મૂકવામાં આવે,તો નવું કેપેસિટન્સ કેટલું થશે ($\mu F$ માં)?

જો $t = d/2$ જાડાઈની ડાયલેક્ટ્રિક સ્લેબને સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે મૂકવામાં આવે ($d$ એ પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર છે),તો કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ તેના મૂળ મૂલ્યના $4/3$ ગણું થાય છે. સ્લેબનો ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક કેટલો હશે?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને $K = 2$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા તેલમાં ડૂબાડવામાં આવે છે. પ્લેટો વચ્ચેનું વિદ્યુતક્ષેત્ર: