હવામાં પ્લેટો ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $8\,\mu F$ છે. જો પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર અડધું કરવામાં આવે અને તેમની વચ્ચેની જગ્યામાં $6$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતો પદાર્થ ભરવામાં આવે,તો નવું કેપેસિટન્સ કેટલું થશે?

ડાયલેક્ટ્રિક વગરના સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટોને વોલ્ટેજ સોર્સ સાથે જોડવામાં આવે છે. હવે,વોલ્ટેજ સોર્સને કેપેસિટર સાથે જોડાયેલ રાખીને,પ્લેટો વચ્ચેની સંપૂર્ણ જગ્યામાં $K$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતું ડાયલેક્ટ્રિક મૂકવામાં આવે છે.

હવામાં પ્લેટો ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $1.0 \text{ pF}$ છે. જો પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર બમણું કરવામાં આવે અને તેમની વચ્ચેની જગ્યા ડાયઇલેક્ટ્રિક પદાર્થથી ભરવામાં આવે, તો કેપેસિટન્સ $2.0 \text{ pF}$ થાય છે. તો ડાયઇલેક્ટ્રિક પદાર્થનો ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક . . . . . . છે.

કોઈ ડાયઇલેક્ટ્રિક પદાર્થ વગર અને $0.4 \, cm$ ના અંતર ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની કેપેસિટન્સ $2 \, \mu F$ છે. જો અંતર અડધું કરવામાં આવે અને તેમાં $2.8$ મૂલ્યનો ડાયઇલેક્ટ્રિક પદાર્થ ભરવામાં આવે,તો કેપેસિટરની અંતિમ કેપેસિટન્સ .......$\mu F$ થશે.

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે,$t_1$ જાડાઈ અને $k_1$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી એક પ્લેટ મૂકવામાં આવે છે. બાકીની જગ્યામાં,$t_2$ જાડાઈ અને $k_2$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી બીજી પ્લેટ છે. કેપેસિટરના બે છેડા વચ્ચેનો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત કેટલો હશે?

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $C_0$ છે. જો સાપેક્ષ પરમિટિવિટી $\varepsilon_r$ અને પ્લેટો વચ્ચેના અંતરના ચોથા ભાગ જેટલી જાડાઈ ધરાવતી ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ દાખલ કરવામાં આવે,તો નવું કેપેસિટન્સ $C$ થાય છે. તો ગુણોત્તર $\frac{C}{C_0}$ શોધો.