एक p-n जंक्शन पर $0.4 \,V$ का विभव प्राचीर (potential barrier) मौजूद है। एक इलेक्ट्रॉन $n$-साइड से $6.0 \times 10^{5} \,ms^{-1}$ की गति से जंक्शन में प्रवेश करता है। जिस गति से इलेक्ट्रॉन $p$-साइड में प्रवेश करेगा,वह $\frac{x}{3} \times 10^{5} \,ms^{-1}$ है। $x$ का मान ............. है।
(दिया गया है: इलेक्ट्रॉन का द्रव्यमान $= 9 \times 10^{-31} \,kg$,इलेक्ट्रॉन पर आवेश $= 1.6 \times 10^{-19} \,C$.)

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    $14$
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परिपथ में धारा का मान क्या होगा?

दिए गए परिपथ में दो आदर्श डायोड एक बैटरी से जुड़े हैं। बैटरी द्वारा आपूर्ति की गई धारा है: ($A$ में)

अवक्षय परत (depletion layer) में विभव प्राचीर (potential barrier) किसके कारण होता है?

चित्र में दिखाए गए परिपथ में उपयोग किए गए डायोड में सभी धाराओं पर $0.5\; V$ का स्थिर वोल्टेज ड्रॉप है और इसकी अधिकतम पावर रेटिंग $100\; mW$ है। अधिकतम धारा प्राप्त करने के लिए डायोड के साथ श्रेणीक्रम में जुड़े प्रतिरोध $R$ का मान क्या होना चाहिए? ($\Omega$ में)

किसी $p-n$ जंक्शन डायोड में जो किसी परिपथ से नहीं जुड़ा है:

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