अवक्षय परत (depletion layer) में विभव प्राचीर (potential barrier) किसके कारण होता है?

परिपथ में प्रयुक्त डायोड का बैरियर वोल्टेज $0.5\,V$ है और अधिकतम पावर रेटिंग $10\,mW$ है। डायोड के साथ श्रेणीक्रम में जुड़े प्रतिरोध $R$ का न्यूनतम मान क्या होना चाहिए?

दिए गए चित्र में, जब एक आदर्श डायोड $D$ फॉरवर्ड बायस में होता है तो बिंदुओं $A$ और $B$ के बीच का प्रतिरोध '$R_1$' है और जब आदर्श डायोड $D$ रिवर्स बायस में होता है तो यह '$R_2$' है। अनुपात $R_1/R_2$ है

$PN$-जंक्शन डायोड में $27^\circ C$ पर रिवर्स सैचुरेशन करंट ${10^{-5}} \ A$ है। $0.2 \ V$ के वोल्टेज के लिए फॉरवर्ड करंट की गणना करें। दिया गया है: $[\exp(7.62) = 2038.6, \ k_B = 1.4 \times {10^{-23}} \ J/K, \ e = 1.6 \times {10^{-19}} \ C]$.

$p-n$ जंक्शन की फॉरवर्ड बायसिंग में:

एक $p-n$ जंक्शन में, अवक्षय क्षेत्र (depletion region) में $5 \times 10^5 \ V/m$ का विद्युत क्षेत्र मौजूद है। $n$-साइड से $p$-साइड की ओर विसरित (diffuse) होने के लिए एक चालन इलेक्ट्रॉन की न्यूनतम गतिज ऊर्जा $3.2 \times 10^{-20} \ J$ पाई जाती है। अवक्षय क्षेत्र की चौड़ाई है,