दिए गए चित्र में, जब एक आदर्श डायोड $D$ फॉरवर्ड बायस में होता है तो बिंदुओं $A$ और $B$ के बीच का प्रतिरोध '$R_1$' है और जब आदर्श डायोड $D$ रिवर्स बायस में होता है तो यह '$R_2$' है। अनुपात $R_1/R_2$ है

अनबायस्ड $PN$ जंक्शन के डिप्लेशन ज़ोन (depletion zone) के संबंध में निम्नलिखित में से कौन सा/से कथन सत्य है/हैं?

थ्रेशोल्ड वोल्टेज क्या है? $Ge$ और $Si$ के लिए थ्रेशोल्ड वोल्टेज का मान लिखिए।

एक अर्धचालक $X$ को जर्मेनियम क्रिस्टल में इंडियम $(Z = 49)$ मिलाकर बनाया जाता है। दूसरा अर्धचालक $Y$ जर्मेनियम क्रिस्टल में आर्सेनिक $(Z = 33)$ मिलाकर बनाया जाता है। दोनों को सिरे से जोड़कर चित्रानुसार बैटरी से जोड़ा गया है। निम्नलिखित में से कौन सा कथन सही है?

रिवर्स बायस्ड $p-n$ जंक्शन डायोड में ब्रेकडाउन होने की संभावना किसके कारण अधिक होती है?

जब $p-n$ जंक्शन पर फॉरवर्ड बायस लगाया जाता है,तो विभव प्राचीर (potential barrier) पर क्या प्रभाव पड़ता है?