એક પ્રોટોન અને $\alpha$-કણને અનુક્રમે $2\,V$ અને $4\,V$ ના સ્થિતિમાન દ્વારા સ્થિર સ્થિતિમાંથી પ્રવેગિત કરવામાં આવે છે. તેમની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઇનો ગુણોત્તર કેટલો થાય ($:1$ માં)?

$300 \;K$ તાપમાને હવામાં નાઈટ્રોજન અણુની દ-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ કેટલી હશે ($nm$ માં)? ધારો કે અણુ આ તાપમાને અણુઓની રૂટ-મીન-સ્ક્વેર ઝડપ સાથે ગતિ કરે છે। (નાઈટ્રોજનનું પરમાણ્વીય દળ $= 14.0076 \;u$)

$V$ જેટલા વિદ્યુતસ્થિતિમાનના તફાવતથી પ્રવેગિત થતા ઇલેક્ટ્રોનની દ-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ $\lambda$ છે. જો ઇલેક્ટ્રોનને $4V$ જેટલા વિદ્યુતસ્થિતિમાનના તફાવતથી પ્રવેગિત કરવામાં આવે,તો તેની દ-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ $\frac{\lambda}{n}$ થાય છે,જ્યાં $n=$

સ્થિર સ્થિતિમાંથી $10000 \ V$ ના પોટેન્શિયલ દ્વારા પ્રવેગિત ઇલેક્ટ્રોનની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઇ $\lambda$ છે. જો તરંગલંબાઇ બમણી કરવી હોય, તો પ્રવેગિત પોટેન્શિયલ કેટલું હોવું જોઈએ ($V$ માં)?

ઇલેક્ટ્રોન માઇક્રોસ્કોપમાં, પ્રાપ્ત કરી શકાય તેવું રિઝોલ્યુશન વપરાયેલ ઇલેક્ટ્રોનની તરંગલંબાઇના ક્રમનું હોય છે। $7.5 \times 10^{-12} \ m$ ની પહોળાઈને રિઝોલ્વ કરવા માટે, જરૂરી લઘુત્તમ ઇલેક્ટ્રોન ઉર્જા ............. $keV$ ની નજીક છે।

એક ઇલેક્ટ્રોન બીમની ગતિઊર્જા $100\; eV$ છે. જો ઇલેક્ટ્રોનનું દળ $= 9.1 \times 10^{-31}\; kg$,$1\; eV = 1.6 \times 10^{-19}\; J$ અને પ્લાન્કનો અચળાંક $= 6.6 \times 10^{-34}\; Js$ હોય,તો આ બીમ સાથે સંકળાયેલી તરંગલંબાઈ ($\mathring{A}$ માં) શોધો.