એક સેમિકન્ડક્ટર ઉપકરણને બેટરી અને અવરોધ સાથે શ્રેણી સર્કિટમાં જોડવામાં આવે છે. સર્કિટમાંથી વિદ્યુતપ્રવાહ પસાર થાય છે. જો બેટરીની ધ્રુવીયતા ઉલટાવવામાં આવે,તો પ્રવાહ લગભગ શૂન્ય થઈ જાય છે. આ ઉપકરણ કયું હોઈ શકે?

વિધાન: આપેલ આકૃતિમાં $p-n$ જંકશનમાંથી પસાર થતો પ્રવાહ $10\, mA$ હશે.
કારણ: ઉપરની આકૃતિમાં,$p-$બાજુ $n-$બાજુ કરતા ઉચ્ચ સ્થિતિમાન પર છે.

જો $P-N$ જંકશન પર કોઈ બાહ્ય વોલ્ટેજ લાગુ કરવામાં ન આવે,તો શું થશે?

જો $Si$ અને $Ge$ ડાયોડ માટે બેરિયર પોટેન્શિયલ અનુક્રમે $0.7 \ V$ અને $0.3 \ V$ હોય,જે આકૃતિમાં દર્શાવેલ છે,તો $V_0$ અને $I$ ના મૂલ્યો શોધો. જો $Ge$ ડાયોડનું જોડાણ ઉલટાવવામાં આવે,તો $V_0$ અને $I$ ના નવા મૂલ્યો અનુક્રમે શોધો.

ડાયોડનો વોલ્ટેજ $0.5 \ V$ અને મહત્તમ પાવર રેટિંગ $100 \ mW$ છે. પરિપથમાં મહત્તમ પ્રવાહ મેળવવા માટે $R$ નું મૂલ્ય .......... $\Omega$ હોવું જોઈએ.

$p-n$ જંકશન ડાયોડ ફોરવર્ડ બાયસમાં $20 \, mA$ સુધીનો પ્રવાહ સહન કરી શકે છે। ડાયોડના બે છેડા વચ્ચેનો પોટેન્શિયલ તફાવત $0.5 \, V$ છે, જે પ્રવાહથી સ્વતંત્ર માનવામાં આવે છે। જ્યારે $125 \, \Omega$ નો અવરોધ તેની સાથે શ્રેણીમાં જોડવામાં આવે ત્યારે ડાયોડને ફોરવર્ડ બાયસ કરવા માટે વપરાતી બેટરીનો મહત્તમ વોલ્ટેજ કેટલો હશે ($V$ માં)?