पदार्थ $A$ का उपयोग करके सौर विकिरण के emf में कुशल रूपांतरण के लिए एक सौर सेल बनाया जाना है। सौर सेल को पदार्थ $B$ के कोटिंग की मदद से यांत्रिक रूप से सुरक्षित किया जाना है। यदि पदार्थों $A$ और $B$ की बैंड गैप ऊर्जा क्रमशः $E_{A}$ और $E_{B}$ है,तो सौर सेल के बेहतर प्रदर्शन के लिए निम्नलिखित में से कौन सा विकल्प इष्टतम है?

एक लाइट एमिटिंग डायोड $(LED)$ को $GaAs$ अर्धचालक सामग्री का उपयोग करके बनाया गया है, जिसका बैंड गैप $1.42 \,eV$ है। $LED$ से उत्सर्जित प्रकाश की तरंगदैर्ध्य क्या है ($\,nm$ में)?

$2.5 \ eV$ के बैंडगैप वाले अर्धचालक से एक फोटो-डायोड बनाया गया है। क्या यह $6000 \ \mathring{A}$ की तरंगदैर्ध्य का पता लगा सकता है?

फोटोडायोड एक ऐसा उपकरण है

$LED$ में दृश्य प्रकाश किसके द्वारा उत्पन्न होता है?

नीचे दो कथन दिए गए हैं: एक को अभिकथन $A$ और दूसरे को कारण $R$ के रूप में लेबल किया गया है।
अभिकथन $A:$ फोटोडायोड का उपयोग आमतौर पर प्रकाश की तीव्रता को मापने के लिए फॉरवर्ड बायस में किया जाता है।
कारण $R:$ एक $p-n$ जंक्शन डायोड के लिए, अनुप्रयुक्त वोल्टेज $V$ पर, $|V_z| > |V| \geq V_0$ के लिए फॉरवर्ड बायस में धारा रिवर्स बायस की तुलना में अधिक होती है, जहाँ $V_0$ थ्रेशोल्ड वोल्टेज है और $V_z$ ब्रेकडाउन वोल्टेज है।
उपरोक्त कथनों के आलोक में, नीचे दिए गए विकल्पों में से सही उत्तर चुनें।