આઈન્સ્ટાઈનના ફોટોઈલેક્ટ્રિક સમીકરણ મુજબ,ધાતુમાંથી ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા વિરુદ્ધ આપાત વિકિરણની આવૃત્તિનો આલેખ એક સીધી રેખા આપે છે,જેનો ઢાળ:

ધાતુઓનું કાર્ય વિધેય (work function) $2 eV$ થી $5 eV$ ની રેન્જમાં છે. નીચેનામાંથી પ્રકાશની કઈ તરંગલંબાઈ ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર માટે વાપરી શકાતી નથી ($nm$ માં)? (પ્લાન્કનો અચળાંક $= 4 \times 10^{-15} eVs$, પ્રકાશનો વેગ $= 3 \times 10^{8} m/s$ લો)

ફોટોઇલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગમાં, અન્ય પરિબળોને અચળ રાખીને આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ વધારવામાં આવે છે $(f > f_0)$. તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ

પારાનો જાંબલી પ્રકાશ $(\lambda = 4558 \mathring{A})$ એક પ્રકાશસંવેદનશીલ પદાર્થ $(\phi = 2.5 \text{ eV})$ પર પડે છે. ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની ઝડપ $\text{m/s}$ માં આશરે કેટલી હશે?

બે જુદી જુદી આવૃત્તિનો પ્રકાશ કે જેના ફોટોનની ઊર્જા $1 \ eV$ અને $2.5 \ eV$ છે,તે $0.5 \ eV$ કાર્ય વિધેય વાળી ધાતુની સપાટી પર એક પછી એક આપાત કરવામાં આવે છે. ઉત્સર્જાતા ઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જાનો ગુણોત્તર કેટલો હશે?

હાઇડ્રોજન જેવા પરમાણુનો પરમાણુ ક્રમાંક $Z$ છે. આ પરમાણુઓમાં $n=4$ થી $n=3$ સ્તરના ઇલેક્ટ્રોનિક સંક્રમણ દરમિયાન ઉત્સર્જિત ફોટોનનો ઉપયોગ લક્ષ્ય ધાતુ પર ફોટોઇલેક્ટ્રિક અસરનો પ્રયોગ કરવા માટે થાય છે. ઉત્પન્ન થયેલા ફોટોઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિજ ઊર્જા $1.95 \ eV$ છે. જો લક્ષ્ય ધાતુ માટે ફોટોઇલેક્ટ્રિક થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઇ $310 \ nm$ હોય,તો $Z$ નું મૂલ્ય શોધો.