પારાનો જાંબલી પ્રકાશ $(\lambda = 4558 \mathring{A})$ એક પ્રકાશસંવેદનશીલ પદાર્થ $(\phi = 2.5 \text{ eV})$ પર પડે છે. ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની ઝડપ $\text{m/s}$ માં આશરે કેટલી હશે?

ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા શેના પર આધાર રાખે છે?

ધાતુઓ $A$, $B$ અને $C$ માટે વર્ક ફંક્શન અનુક્રમે $1.92 eV$, $2.0 eV$ અને $5 eV$ છે. $4100 Å$ તરંગલંબાઇ ધરાવતા આપાત વિકિરણ માટે કઈ ધાતુ(ઓ) ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરશે? $[h=6.63 \times 10^{-34} J s, e=1.6 \times 10^{-19} C, c=3 \times 10^8 m/s]$.

હાઇડ્રોજન ડિસ્ચાર્જ ટ્યુબમાંથી આવતો પ્રકાશ ફોટોઇલેક્ટ્રિક સેલના કેથોડ પર આપાત થાય છે. કેથોડ સપાટીનું વર્ક ફંક્શન $4.2 \ eV$ છે. ફોટો-કરંટને શૂન્ય કરવા માટે,કેથોડની સાપેક્ષમાં એનોડનો વોલ્ટેજ ........... $V$ કરવો પડે.

સીઝિયમનું કાર્ય વિધેય (work function) $2.27 eV$ છે. $600 nm$ તરંગલંબાઇ ધરાવતા પ્રકાશથી ઉત્તેજિત સીઝિયમ કેથોડમાંથી ઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન અટકાવવા માટેનું કટ-ઓફ વોલ્ટેજ કેટલું હશે?

જ્યારે $3f$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ $2hf$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ફોટોસેન્સિટિવ સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોન મહત્તમ $v$ વેગ સાથે ઉત્સર્જિત થાય છે. જો આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ $4.25f$ હોય,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ કેટલો હશે? ($h$ = પ્લાન્કનો અચળાંક).