$10,000 \ V$ ના વિદ્યુતસ્થિતિમાનના તફાવત દ્વારા એક ઇલેક્ટ્રોનને પ્રવેગિત કરવામાં આવે છે. તેની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઇ આશરે કેટલી હશે? $(m_{e} = 9 \times 10^{-31} \ kg)$

ઓપ્ટિકલ માઇક્રોસ્કોપમાં કયા વિદ્યુતચુંબકીય તરંગોનો ઉપયોગ થાય છે? ઇલેક્ટ્રોન માઇક્રોસ્કોપમાં કયા પ્રકારના તરંગોનો ઉપયોગ થાય છે?

$m$ દળ ધરાવતો એક ઇલેક્ટ્રોન જેનો પ્રારંભિક વેગ $\vec{V} = V_0 \hat{i} \,(V_0 > 0)$ છે,તે $t = 0$ સમયે $\vec{E} = -E_0 \hat{i} \,(E_0 = \text{અચળ} > 0)$ વિદ્યુતક્ષેત્રમાં પ્રવેશ કરે છે. જો $\lambda_0$ તેની પ્રારંભિક ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઇ હોય,તો $t$ સમયે તેની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઇ કેટલી હશે?

$m$ દળ ધરાવતો ઇલેક્ટ્રોન અને એક ફોટોન સમાન ઊર્જા $E$ ધરાવે છે. તેમની સાથે સંકળાયેલ ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઇનો ગુણોત્તર કેટલો થાય? ($c$ = હવામાં પ્રકાશનો વેગ)

તરંગલંબાઈ $\lambda$ ધરાવતો પ્રકાશ અવગણ્ય વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ફોટોસેન્સિટિવ સપાટી પર આપાત થાય છે. સપાટીમાંથી ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ $\lambda_1$ છે. તો ગુણોત્તર $\lambda : \lambda_1^2$ શું થશે? ($h =$ પ્લાન્કનો અચળાંક,$c =$ પ્રકાશનો વેગ,$m =$ ઈલેક્ટ્રોનનું દળ)

જો $\lambda_0$ એ $100 \ V$ ના વિદ્યુતસ્થિતિમાનના તફાવત દ્વારા પ્રવેગિત પ્રોટોન માટેની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઇ હોય,તો તે જ વિદ્યુતસ્થિતિમાનના તફાવત દ્વારા પ્રવેગિત $\alpha$-કણ માટેની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઇ કેટલી હશે?