$m$ દળ ધરાવતા ઇલેક્ટ્રોનને $V$ સ્થિતિમાનના તફાવત દ્વારા પ્રવેગિત કરવામાં આવે ત્યારે તેની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઇ $\lambda$ છે. જ્યારે $M$ દળ ધરાવતા પ્રોટોનને $9V$ સ્થિતિમાનના તફાવત દ્વારા પ્રવેગિત કરવામાં આવે,ત્યારે તેની સાથે સંકળાયેલી ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઇ કેટલી હશે? (ધારો કે તરંગલંબાઇ ઓછા વોલ્ટેજ પર નક્કી કરવામાં આવે છે.)

  • A
    $\frac{\lambda}{3} \sqrt{\frac{M}{m}}$
  • B
    $\frac{\lambda}{3} \cdot \frac{M}{m}$
  • C
    $\frac{\lambda}{3} \sqrt{\frac{m}{M}}$
  • D
    $\frac{\lambda}{3} \cdot \frac{m}{M}$

Explore More

Similar Questions

ઇલેક્ટ્રોનની ડી બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ $1 \, nm$ થી ઘટાડીને $0.5 \, nm$ કરવા માટે તેમાં ઉમેરવી પડતી ઉર્જા કેટલી હશે?

Difficult
View Solution

જો મુક્ત ઇલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા બમણી કરવામાં આવે,તો તેની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈમાં કેટલા ગણો ફેરફાર થાય?

$4.5 \ eV$ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોન $3 \ eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી પ્રકાશસંવેદનશીલ સપાટી પર આપાત થાય છે. મહત્તમ ગતિઊર્જા સાથે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોન સાથે સંકળાયેલ ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ આશરે કેટલી હશે ($Å$ માં)?

એક ઇલેક્ટ્રોન અને પ્રોટોનને સમાન વિદ્યુતસ્થિતિમાનના તફાવત દ્વારા પ્રવેગિત કરવામાં આવે છે. દ-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઇ $\lambda_{p}$ અને $\lambda_{e}$ નો ગુણોત્તર કેટલો થાય? $[m_{e} = \text{ઇલેક્ટ્રોનનું દળ}, m_{p} = \text{પ્રોટોનનું દળ}]$

જો મુક્ત ઇલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા બમણી કરવામાં આવે,તો તેની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈમાં કેટલા ગણો ફેરફાર થશે?

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo