$4.5 \ eV$ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોન $3 \ eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી પ્રકાશસંવેદનશીલ સપાટી પર આપાત થાય છે. મહત્તમ ગતિઊર્જા સાથે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોન સાથે સંકળાયેલ ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ આશરે કેટલી હશે ($Å$ માં)?

ઇલેક્ટ્રોનની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ $1 \ nm$ થી ઘટાડીને $0.5 \ nm$ કરવા માટે તેને આપવી પડતી વધારાની ઉર્જા કેટલી છે?

જો કણની ગતિઊર્જામાં $16$ ગણો વધારો કરવામાં આવે, તો કણની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈમાં થતો ટકાવારી ફેરફાર ......... $\%$ છે.

ડી-બ્રોગ્લી ઉત્કલ્પના મુજબ,$m$ દળ ધરાવતા ગતિશીલ ઇલેક્ટ્રોન સાથે સંકળાયેલ તરંગલંબાઇ $\lambda_e$ છે. દળ-ઊર્જા સંબંધ અને પ્લાન્કના ક્વોન્ટમ સિદ્ધાંતનો ઉપયોગ કરીને,ફોટોન સાથે સંકળાયેલ તરંગલંબાઇ $\lambda_p$ છે. જો ઇલેક્ટ્રોન અને ફોટોનની ઊર્જા $(E)$ સમાન હોય,તો $\lambda_e$ અને $\lambda_p$ વચ્ચેનો સંબંધ શું છે?

એક પ્રોટોન અને $\alpha$-કણને અનુક્રમે $2\,V$ અને $4\,V$ ના સ્થિતિમાન દ્વારા સ્થિર સ્થિતિમાંથી પ્રવેગિત કરવામાં આવે છે. તેમની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઇનો ગુણોત્તર કેટલો થાય ($:1$ માં)?

$127^{\circ} C$ અને $352^{\circ} C$ તાપમાને રહેલા થર્મલ ન્યુટ્રોન સાથે સંકળાયેલ ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઇનો ગુણોત્તર કેટલો થાય?