એક આંતરિક (intrinsic) સેમિકન્ડક્ટરને નીચેનામાંથી કોના દ્વારા ડોપિંગ કરીને $N$-ટાઈપ બાહ્ય (extrinsic) સેમિકન્ડક્ટરમાં રૂપાંતરિત કરવામાં આવે છે?

ડોનર અશુદ્ધિ સાથે ડોપ કરેલ સેમિકન્ડક્ટર કયા પ્રકારનું હોય છે?

એક આંતરિક (intrinsic) સેમિકન્ડક્ટરમાં એનર્જી ગેપ $E_{g}$ એ $1.2 \; eV$ છે. તેની હોલ મોબિલિટી ઇલેક્ટ્રોન મોબિલિટી કરતા ઘણી ઓછી છે અને તાપમાનથી સ્વતંત્ર છે. $600 \; K$ અને $300 \; K$ તાપમાને વાહકતાનો ગુણોત્તર કેટલો હશે? ધારો કે આંતરિક કેરિયર સાંદ્રતા $n_{i}$ નું તાપમાન પરનું નિર્ભરતા $n_{i} = n_{0} \exp \left(-\frac{E_{g}}{2 k_{B} T}\right)$ દ્વારા આપવામાં આવે છે,જ્યાં $n_{0}$ એક અચળાંક છે.

$300 \text{ K}$ તાપમાને શુદ્ધ સિલિકોન સ્ફટિકમાં ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સાંદ્રતા $(n_i) = 10^{16} \text{ per m}^3$ છે. જો પ્રતિ ઘન મીટર $10^{21}$ ફોસ્ફરસના પરમાણુઓ $(n_D)$ ઉમેરવામાં આવે, તો સિલિકોન સ્ફટિકમાં નવી હોલ સાંદ્રતા કેટલી હશે?

એક સેમિકન્ડક્ટર (અર્ધવાહક) માં ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સાંદ્રતા સમાન $6 \times 10^8 \, m^{-3}$ છે. અમુક અશુદ્ધિ ઉમેરવાથી,ઇલેક્ટ્રોનની સાંદ્રતા વધીને $9 \times 10^{12} \, m^{-3}$ થાય છે. તો નવી હોલ સાંદ્રતા કેટલી હશે?

જ્યારે જર્મેનિયમમાં નીચેનામાંથી કોનું ડોપિંગ કરવામાં આવે ત્યારે $N-$ પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટર મળે છે?