$300 \text{ K}$ તાપમાને શુદ્ધ સિલિકોન સ્ફટિકમાં ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સાંદ્રતા $(n_i) = 10^{16} \text{ per m}^3$ છે. જો પ્રતિ ઘન મીટર $10^{21}$ ફોસ્ફરસના પરમાણુઓ $(n_D)$ ઉમેરવામાં આવે, તો સિલિકોન સ્ફટિકમાં નવી હોલ સાંદ્રતા કેટલી હશે?

જો $n_{e}$ અને $n_{h}$ એ ફોસ્ફરસ સાથે ભારે ડોપિંગ કરેલા સેમિકન્ડક્ટરમાં અનુક્રમે ઇલેક્ટ્રોન અને હોલ્સની સંખ્યા હોય,તો:

સેમિકન્ડક્ટરમાં રહેલા ડોનર પરમાણુમાં એક ઢીલી રીતે બંધાયેલો ઇલેક્ટ્રોન હોય છે. આ ઇલેક્ટ્રોનની કક્ષા સેમિકન્ડક્ટર મટીરીયલ દ્વારા નોંધપાત્ર રીતે પ્રભાવિત થાય છે,પરંતુ તે ઘણી રીતે હાઇડ્રોજન ન્યુક્લિયસની આસપાસ ફરતા ઇલેક્ટ્રોન જેવું વર્તન કરે છે. જો ઇલેક્ટ્રોનનું અસરકારક દળ $0.07 \, m_e$ હોય,જ્યાં $m_e$ એ મુક્ત ઇલેક્ટ્રોનનું દળ છે અને જે અવકાશમાં તે ગતિ કરે છે તેની પરમિટિવિટી $13 \, \varepsilon_0$ છે,તો ઇલેક્ટ્રોનની સૌથી નીચી ઉર્જા કક્ષાની ત્રિજ્યા આશરે ................. $\mathring{A}$ હશે (હાઇડ્રોજન પરમાણુની બોહર ત્રિજ્યા $0.53 \mathring{A}$ લો).

એક ઇન્ટ્રિન્સિક સેમિકન્ડક્ટર વિદ્યુતની દ્રષ્ટિએ તટસ્થ છે. મોટી સંખ્યામાં વિદ્યુતભાર વાહકો ધરાવતું એક્સટ્રિન્સિક સેમિકન્ડક્ટર કેવું હશે?

એક અર્ધવાહકમાં ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા અને હોલની સંખ્યાનો ગુણોત્તર $7/5$ છે અને તેમના પ્રવાહનો ગુણોત્તર $7/4$ છે,તો તેમના ડ્રિફ્ટ વેગનો ગુણોત્તર કેટલો હશે?

આંતરિક (intrinsic) સેમિકન્ડક્ટરમાં વિદ્યુત વહન કેવી રીતે ઉત્પન્ન થાય છે?