જો $n_{e}$ અને $n_{h}$ એ ફોસ્ફરસ સાથે ભારે ડોપિંગ કરેલા સેમિકન્ડક્ટરમાં અનુક્રમે ઇલેક્ટ્રોન અને હોલ્સની સંખ્યા હોય,તો:

નીચેનામાંથી કયું વિધાન ખોટું છે?

અર્ધવાહકમાં ઇલેક્ટ્રોનની મોબિલિટીને તેમના ડ્રિફ્ટ વેગ અને લાગુ કરેલા વિદ્યુતક્ષેત્રના ગુણોત્તર તરીકે વ્યાખ્યાયિત કરવામાં આવે છે. જો $n$-પ્રકારના અર્ધવાહક માટે,ઇલેક્ટ્રોનની ઘનતા $10^{19} \ m^{-3}$ હોય અને તેમની મોબિલિટી $1.6 \ m^2/(V \cdot s)$ હોય,તો અર્ધવાહકની અવરોધકતા (કારણ કે તે $n$-પ્રકારનો અર્ધવાહક છે,હોલ્સનું યોગદાન અવગણવામાં આવે છે) ................ $\Omega \cdot m$ ની નજીક છે.

$300 \ K$ તાપમાને શુદ્ધ સિલિકોન સ્ફટિકની વાહકતા કેટલી હશે? જો ઈન્ટ્રિન્સિક કેરિયર સાંદ્રતા $1.072 \times 10^{10} \ cm^{-3}$ હોય અને આ તાપમાને ઈલેક્ટ્રોન મોબિલિટી $\mu_n = 1350 \ cm^2 / (V \cdot s)$ અને હોલ મોબિલિટી $\mu_p = 480 \ cm^2 / (V \cdot s)$ હોય.

$N$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટર્સમાં,મુખ્ય ચાર્જ કેરિયર્સ કયા છે?

$300 \ K$ તાપમાને શુદ્ધ સિલિકોન ક્રિસ્ટલની વાહકતા કેટલી હશે? પ્રતિ $cm^3$ ઈલેક્ટ્રોન-હોલ જોડકાંની સંખ્યા $1.072 \times 10^{10}$ છે. આપેલ છે: $\mu_n = 1350 \ cm^2/V \cdot s$ અને $\mu_p = 480 \ cm^2/V \cdot s$.