નીચેનામાંથી કયું વિધાન ખોટું છે?
- Aતાપમાનમાં વધારો થતાં આંતરિક (intrinsic) અર્ધવાહકોનો અવરોધ ઘટે છે.
- Bશુદ્ધ $Si$ માં ત્રિસંયોજક અશુદ્ધિ ઉમેરવાથી $p$-પ્રકારના અર્ધવાહકો મળે છે.
- C$n$-પ્રકારના અર્ધવાહકોમાં મેજોરિટી કેરિયર્સ હોલ્સ (holes) હોય છે.
- D$p-n$ જંકશન અર્ધવાહક ઉપકરણ તરીકે કાર્ય કરી શકે છે.
Explore More
Similar Questions
$P-$ પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરને નીચેનામાંથી શું ઉમેરીને મેળવી શકાય છે?
Easy
View Solutionજ્યારે અર્ધવાહકમાં થોડી માત્રામાં અશુદ્ધિના પરમાણુઓ ઉમેરવામાં આવે છે,ત્યારે સામાન્ય રીતે તેની અવરોધકતા
$300 \ K$ તાપમાને શુદ્ધ $Si$ સ્ફટિકમાં ઈલેક્ટ્રોન $(n_e)$ અને હોલ $(n_h)$ ની સાંદ્રતા સમાન છે,જે $1.5 \times 10^{16} \ m^{-3}$ છે. ઈન્ડિયમ વડે ડોપિંગ કરવાથી,હોલની સાંદ્રતા વધીને $4.5 \times 10^{22} \ m^{-3}$ થાય છે. ડોપ્ડ $Si$ માં નવી ઈલેક્ટ્રોન સાંદ્રતા $(n_e)$ ગણો.
Difficult
View Solution$n$-ટાઈપ સેમિકન્ડક્ટરમાં, ફર્મી એનર્જી લેવલ ક્યાં હોય છે?
$\text{એક આંતરિક અર્ધવાહકમાં ઇલેક્ટ્રોનની સાંદ્રતા } 6 \times 10^{15} \,m^{-3} \text{ છે. અશુદ્ધિ ઉમેરવાથી ઇલેક્ટ્રોનની સાંદ્રતા વધીને } 4 \times 10^{22} \,m^{-3} \text{ થાય છે. ઉષ્મીય સંતુલનમાં, ડોપ્ડ અર્ધવાહકમાં હોલ્સની સાંદ્રતા કેટલી હશે?}$
Vedclass Products
For Students
Vedclass Test Series
Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.
Start Free TrialFor Teachers
Exam Paper Generator
Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.
Try FreeFor Institutes
Online Exam Module
Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.
See Demo